Contribution a l'etude du phenomene de latchup dans les technologies cmos

by Charles Leroux

Doctoral thesis in Sciences appliquées

Under the supervision of Jean-Pierre Chante.

defended on 1988

in Lyon, INSA .

  • Alternative Title

    Contribution to the study of latchup phenomenon in cmos technologies


  • Abstract not available

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  • Abstract

    Ce memoire traite de l'analyse du phenomene de latch-up dans les technologies cmos. Ce phenomene est du a la presence d'une structure pnpn parasite entre l'alimentation du circuit et la masse, et cette structure est susceptible de passer de son etat forte impedance habituel a un etat faible impedance (quelques ohms). Cette etude s'est concretisee par la mise au point d'une methodologie de test qui permet d'identifier le phenomene. Un modele analytique a ete developpe. Il prend en compte l'aspect tridimensionnel des resistances de cette structure, la forte injection et ses consequences. Enfin, un nouvel element a ete introduit, il permet d'expliquer le maintien du phenomene. Ce modele sans parametre d'ajustement donne de bons resultats par rapport a l'experience. Une strategie d'optimisation des technologies, vis-a-vis du latchup, a ete egalement definie. Elle s'est traduite par la realisation d'un lot pour lequel des structures a faible distance d'isolation entre sources de transistors de type oppose (quatre microns), ont une tension de maintien superieure a la tension d'alimentation (cinq volts)

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Informations

  • Details : 261 P.
  • Annexes : 176 REF

Where is this thesis?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
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