Mise au point d'un appareillage de photoluminescence a haute resolution spatiale : application a l'etude des semiconducteurs et dispositifs electroniques iii-v

• Auteur / Autrice : Gérard Gillardin
• Direction : CHRISTIAN PARISET
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Clermont-Ferrand 2

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes mecaniques et thermiques

Etude experimentale

Appareillage

Resolution temporelle

Photoluminescence

Methode etude

Homogeneite

Defaut cristallin

Impurete

Cartographie

Transistor effet champ

Circuit integre

Compose mineral

Semiconducteur

Compose iii-v

Seuil tension

Gallium arseniure

Experimental study

Instrumentation

Time resolution

Photoluminescence

Investigation method

Homogeneity

Crystal defect

Impurity

Cartography

Field effect transistor

Integrated circuit

Inorganic compound

Semiconductor materials

Iii-v compound

Voltage threshold

Gallium arsenides

Résumé

Description du dispositif permettant d'analyser des plaques de 2**(") de diametre a 1ok, avec de hautes resolutions laterales (20 et 1mu m), eventuellement a diverses energies. Realisation de cartographies a 300 et 10k: tres bonne correlation entre intensite de photoluminescence et defauts cristallins et chimiques; correspondance avec des mesures de resistivite electrique. Mise au point d'une procedure de qualification de l'homogeneite microscopique de gaas semi-isolant. Possibilite de prevoir la dispersion des tensions de seuil de transistors fet d'apres l'analyse du support de defaut, donc de classer et choisir les supports pour la realisation de circuits integres