Analyses quantitatives par sem/ebic des defauts recombinants dans les semiconducteurs polycristallins : influence des traitements thermiques sur l'activite electrique des bicristaux de silicium

Quantitative analysis by sem/ebic of recombination at defects in polycristalline semiconductors: effect of heat treatments on electrical activity of silicon bicrystals

• Auteur / Autrice : Ahmed Ihlal
• Direction : Jean-Louis Chermant
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Caen

Mots clés

Mots clés libres

Physique

Etat condense

Proprietes electriques, magnetiques, optiques

Joint grain

Bicristal

Diffusion porteur charge

Recombinaison porteur charge

Impurete

Non metal

Etude experimentale

Recuit

Silicium

Grain boundary

Bicrystal

Charge carrier scattering

Charge carrier recombination

Impurity

Non metal

Experimental study

Annealing

Silicon

Résumé

Etude quantitative , par la methode ebic, de la recombinaison des porteurs minoritaires dans des bicristaux de silicium en fonction des traitements thermiques, entre 450 et 950**(o)c. Un developpement des phenomenes physiques regissant la creation de differentes theories conduisant au traitement quantitatif du signal ebic est presente. Selon le traitement thermique, le contraste des deux types de joints de grains evolue avec la temperature: vitese de recombinaison et longueur de diffusion varient avec la temperature de recuit