Elaboration et caractérisation des siliciures utilisés comme matériaux de grille ou d'interconnexion dans les circuits VLSI

Elaboration and characterization of silicides used as gate or interconnection materials in VLSI circuits

• Auteur / Autrice : Isabelle Lombaert
• Direction : Yves Danto
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Électronique
• Date : Soutenance en 1988
• Etablissement(s) : Bordeaux 1

Mots clés

Mots clés contrôlés

Études comparatives

Rétrodiffusion

Qualité -- Contrôle

Conduction électrique

Électrodes

Circuits intégrés à très grande échelle

Résumé

La reduction des dimensions des motifs dans les circuits vlsi a entraine le remplacement partiel du silicium polycristallin utilise comme materiau de grille par des siliciures de metaux refractaires ou de transition, qui sont moins resistifs. Une etude approfondie a ete effectuee sur la resolution en profondeur de la technique rbs, qui est une methode tres adaptee a la caracterisation des siliciures. Ensuite, des analyses comparatives de construction ont ete realisees sur plusieurs memoires dram comportant un siliciure. Le siliciure de titane, tisi2, a ete elabore par trois differentes techniques et les proprietes physico-chimiques de ces couches ont ete comparees. Des resistivites de l'ordre de 13-16 micro-ohms centimetres ont ete obtenues par ces methodes de depot suivies d'un recuit rapide