Etude theorique du transport perpendiculaire aux couches dans les semiconducteurs 3-5 modules suivant une dimension
Auteur / Autrice : | Thierry Weil |
Direction : | Julien Bok |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 1987 |
Etablissement(s) : | Paris 6 |
Mots clés
Mots clés libres
Résumé
Proposition d'un modele pour le transport inelastique et application au transport assiste par phonons entre deux puits quantiques, a la capture des porteurs par le puits quantique d'un laser sch, au transport dans les pseudoalliages quaternaires et dans les superreseaux. Analyse des differents modeles de l'effet tunnel et discussion de la duree de l'effet tunnel; application aux diodes a double barriere et mise en evidence de l'equivalence des descriptions basees sur l'effet tunnel resonnant et sur l'effet tunnel sequentiel, au moins en regime continu; effets des diffusions, developpement d'un modele sequentiel a partir du formalisme d'oppenheimer. Algorithme de calcul du transport perpendiculaire dans les heterostructures (approche de la cao des structures de bande)