Rôle des fluctuations de potentiel sur les propriétés électriques du silicium polycristallin

Potential fluctuations effects on electrical properties of polycristalline silicon

• Auteur / Autrice : Mohammed Ada-Hanifi
• Direction : Jean-Louis Robert
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Milieux denses et matériaux
• Date : Soutenance en 1985
• Etablissement(s) : Montpellier 2

Mots clés

Mots clés contrôlés

Fluctuations (physique)

Potentiel, Théorie du

Conduction électrique

Silicium

Résumé

La différence, observée à haute température, entre les énergies d’activation de la conductivité et de la mobilité du silicium polycristallin, n’était pas expliqué jusqu’à présent par les modèles existants. Pour cela, nous avons proposé un nouveau modèle de conduction prenant en compte l’existence du désordre dans ce matériau. Par ailleurs les mesures faites à basse température et celles réalisées sous forts champs électriques corroborent cette interprétation. Enfin, certains résultats à basse température montrent l’existence de joints de grains électriquement inactifs (type P) et la présence d’une couche privilégiée pour la conduction, à l’interface (type N)