Arnaud Curutchet
IdRefMots clés
FR |
EN
Fiabilité
Nitrure de gallium
Transistors à effet de champ à dopage modulé
HEMT
Transistors bipolaires à hétérojonctions
GaN
UMTS (norme)
Carbure de silicium
Caractérisation
GaN HEMT
Laser
Simulation
Piégeage
Pièges optiques
Bruit électronique
Ondes kilométriques
Semiconducteurs à large bande interdite
AlGaN/GaN
AlInN/GaN
Hyperfréquences