"Auteur";"Identifiant auteur";"Titre";"Directeur de these";"Directeur de these (nom prenom)";"Identifiant directeur";"Etablissement de soutenance";"Identifiant etablissement";"Discipline";"Statut";"Date de premiere inscription en doctorat";"Date de soutenance";"Langue de la these";"Identifiant de la these";"Accessible en ligne";"Publication dans theses.fr";"Mise a jour dans theses.fr";
Hanpeng Dong;194646300;Microcrystalline silicon based thin film transistors fabricated on flexible substrate;Tayeb Mohammed-Brahim,Emmanuel Jacques;Mohammed-Brahim Tayeb,Jacques Emmanuel;069677913,12937749X;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;25-09-2015;en;2015REN1S173;oui;07-03-2013;28-11-2019;
François Roy;184932556;Caractérisation des transistors couches minces à base de silicium amorphe hydrogéné : analyse des processus de dégradation;Directeur de thèse inconnu;Directeur de thèse inconnu;;Paris 11;026404664;Electronique;soutenue;;01-01-1986;fr;1986PA112267;non;17-09-2015;15-07-2020;
Jean-Louis Botrel;114018812;Transistors en couches minces (TFT) pour les radiofréquences;Jalal Jomaah,Olivier Savry;Jomaah Jalal,Savry Olivier;077792718,114018766;Grenoble INPG;026388804;Micro et nano-électronique;soutenue;;01-01-2006;fr;2006INPG0169;non;24-05-2013;11-07-2020;
Ludovic Rapp;150575718;Impression par laser (LIFT) de transistors organiques en films minces;Philippe Delaporte,Anne Patricia Alloncle;Delaporte Philippe,Alloncle Anne Patricia;032307802,15057598X;Aix-Marseille 2;026402882;Sciences des matériaux, physique, chimie et nanosciences;soutenue;;12-11-2010;fr;2010AIX22104;oui;23-06-2011;28-08-2019;
Gaël Gautier;069994293;Conception, réalisation et mise au point d'une technologie CMOS en transistors couches minces sur substrat de verre;Olivier Bonnaud;Bonnaud Olivier;069861110;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2002;fr;2002REN10149;non;24-05-2013;12-07-2020;
Mamadou Lamine Samb;186039352;Modélisation de transistors en couches minces (TFT) fabriqués en technologie silicium microcristallin très basse température;Tayeb Mohammed-Brahim,Grégoire Sissoko;Mohammed-Brahim Tayeb,Sissoko Grégoire;069677913,186039360;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;15-12-2014;fr;2014REN1S157;non;13-06-2015;06-01-2017;
Thi Thu Thuy Nguyen;192723677;Etude des transistors en couches minces à base d’IGZO pour leur application aux écrans plats à matrice active LCD et OLED;François Templier;Templier François;159729459;Grenoble;030327202;Nanoélectronique et nanotechnologie;soutenue;;12-11-2014;fr;2014GRENT060;oui;24-09-2014;26-05-2020;
Samuel Harrison;095604898;Dispositifs GAA [Gate-All-Around] en technologie SON [Silicon-On-Nothing] : conception, caractérisation et modélisation en vue de l'intégration dans les noeuds CMOS avancés;Daniela Munteanu,Thomas Skotnicki;Munteanu Daniela,Skotnicki Thomas;095604812,081841922;Aix-Marseille 1;026403781;Physique et modélisation des systèmes complexes. Micro et nanoélectronique;soutenue;;01-01-2005;fr;2005AIX11021;non;24-05-2013;15-07-2020;
Wenlin Kuai;204785553;Faisabilité de transistors organiques à effet de champ fabriqués entièrement en solution;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;23-01-2017;en;2017REN1S013;oui;23-01-2014;21-10-2017;
Cao-Minh Lu;228261554;Fabrication de CMOS à basse température pour l'intégration 3D séquentielle;Claire Fenouillet-Béranger,Thomas Skotnicki;Fenouillet-Béranger Claire,Skotnicki Thomas;06122555X,081841922;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nano electronique et nano technologies;soutenue;;24-10-2017;fr;2017GREAT109;oui;17-05-2020;26-05-2020;
Germain Bossu;147297044;Architectures innovantes de mémoire non-volatile embarquée sur film mince de silicium;Pascal Masson;Masson Pascal;084565926;Aix-Marseille 1;026403781;Micro et nano-électronique;soutenue;;01-01-2009;fr;2009AIX11044;non;05-04-2017;12-07-2020;
Khaled Amir Belarbi;147305500;Transistors en couches minces de silicium microcristallin fabriqués à T<180° C : stabilité et mobilité;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2010;fr;2010REN1S069;non;24-05-2013;15-07-2020;
Malika Kandouci;187815208;Modelisation des transistors en couches minces au silicium polycristallin petits grains en regimes passant et bloquant;Olivier Bonnaud;Bonnaud Olivier;069861110;Rennes 1;02778715X;Physique;soutenue;;01-01-1993;fr;1993REN10069;non;24-05-2013;16-02-2021;
FRANCIS PETINOT;;Contribution a l'etude de transistors en couches minces en silicium polycristallin : hydrogene et stabilite;Denis Mencaraglia;Mencaraglia Denis;032968809;Paris 11;026404664;Sciences appliquées;soutenue;;01-01-1998;fr;1998PA112068;non;24-05-2013;04-02-2021;
YOURI HELEN;;Transistors en couches minces de silicium : de la cristallisation en phase solide a la cristallisation laser;FRANCOIS RAOULT;RAOULT FRANCOIS;;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2000;fr;2000REN10141;non;24-05-2013;17-02-2021;
Jong Woo Jin;176499512;Modélisation physique et compacte de transistors en couches minces à base de silicium amorphe ou microcristallin;Yvan Bonnassieux;Bonnassieux Yvan;114099308;Palaiseau, Ecole polytechnique;027309320;Microélectronique;soutenue;;01-01-2012;fr;2012EPXX0106;oui;25-02-2014;15-07-2020;
NAIMA ELASSALI;;Etude physico-chimique et electrique des contacts ito/silicium polycristallin pour la realisation de transistors en couches minces;Olivier Pierre Etienne Joubert;Joubert Olivier Pierre Etienne;074488236;Rennes 1;02778715X;Physique;soutenue;;01-01-1992;fr;1992REN10017;non;24-05-2013;15-02-2021;
SANDRINE MARTIN;;Simulation numerique et caracterisation d'effets bidimensionnels dans les transistors en couches minces a base de silicium amorphe hydrogene;Denis Mencaraglia;Mencaraglia Denis;032968809;Paris 6;027787087;Sciences appliquées;soutenue;;01-01-1996;fr;1996PA066279;non;24-05-2013;27-01-2021;
Abdelkarim Mercha;231300522;Analyse des mecanismes de conduction et de bruit en 1/f dans les transistors en couches minces de silicium polycristallin;Régis Carin;Carin Régis;033577218;Caen;026403064;Sciences et techniques;soutenue;;01-01-2000;fr;2000CAEN2076;non;24-05-2013;16-02-2021;
Jean-François Michaud;084441380;Mise au point d'une technologie de cristallisation de silicium par laser argon continu. Application à la réalisation de transistors en couches minces.;Michel Sarret;Sarret Michel;059089709;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2004;fr;2004REN10107;non;24-05-2013;10-07-2020;
Cédric Rechatin;074599550;Caractérisation, modélisation, conception pour des applications analogiques grande surface dans la technologie transistors en couches minces en silicium polycristallin (TFT Poly-Si);Nacer Abouchi;Abouchi Nacer;083951857;Lyon, INSA;052444724;Electronique;soutenue;;01-01-2007;fr;2007ISAL0109;oui;24-05-2013;12-07-2020;
Filippos Farmakis;;Etude électrique de la qualité et de la fiabilité des transistors en couches minces (tft) sur silicium polycristallin;Jean Brini;Brini Jean;091234077;Grenoble INPG;026388804;Sciences et techniques;soutenue;;01-01-2000;fr;2000INPG0119;non;24-05-2013;09-09-2020;
ABDELKADER AMROUCHE;;Modelisation des transistors en couches minces sur silicium polycristallin a petits grains. Non dope, en mode d'accumulation;Olivier Bonnaud;Bonnaud Olivier;069861110;Rennes 1;02778715X;Physique;soutenue;;01-01-1990;fr;1990REN10094;non;24-05-2013;16-02-2021;
Tanguy Pier;122544447;Utilisation de silicium déposé microcristallin par PECVD et re-cristallisé par laser excimère dans la fabrication de transistors en couches minces à T<200°C;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2007;fr;2007REN1S146;non;24-05-2013;12-07-2020;
Seung Jae Moon;250580349;Development of inkjet printing technology for fully solution process dedicated to organic electronic circuits;Emmanuel Jacques,Byung Seong Bae;Jacques Emmanuel,Bae Byung Seong;12937749X,250580543;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;17-06-2020;en;2020REN1S009;oui;19-01-2018;01-12-2020;
Amar Saboundji;083022694;Qualification de différents matériaux silicium en vue de la réalisation sur le même substrat de transistors dédiés à différentes applications;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2004;fr;2004REN10150;non;24-05-2013;15-07-2020;
Alexandre Fonseca;191230243;Conception et réalisation de circuits de génération de fréquence en technologie FDSOI 28nm;Philippe Lorenzini,Gilles Jacquemod;Lorenzini Philippe,Jacquemod Gilles;167092928,110356004;Nice;026403498;Electronique pour objets connectés;soutenue;;02-12-2015;fr;2015NICE4100;oui;08-03-2016;08-12-2018;
Thomas Mosciatti;19105173X;Nanostructured hybrid interfaces for supramolecular electronics;Paolo Samorì,Emanuele Orgiu;Samorì Paolo,Orgiu Emanuele;109288335,19105190X;Strasbourg;131056549;Chimie;soutenue;;24-07-2015;en;2015STRAF024;oui;06-06-2013;20-11-2019;
Christopher Vautrin;203872770;Electronic spin precession in all solid state magnetic tunnel transistor;Michel Hehn,Daniel Lacour;Hehn Michel,Lacour Daniel;131069632,071210679;Université de Lorraine;157040569;Physique;soutenue;;12-07-2017;en;2017LORR0075;oui;05-07-2017;27-08-2020;
Ajith Sivadasan;236805207;Conception et simulation des circuits numériques en 28nm FDSOI pour la haute fiabilité;Lorena Anghel;Anghel Lorena;091614295;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nano electronique et nano technologies;soutenue;;29-06-2018;en;2018GREAT118;non;18-05-2020;02-09-2020;
Louise De conti;243152345;Conception de protection 3D contre les décharges électrostatiques (ESD) en technologie silicium avancée sur isolant (FD SOI) film mince multi couches;Philippe Galy,Sorin Cristoloveanu,Maud Vinet;Galy Philippe,Cristoloveanu Sorin,Vinet Maud;05039875X,030493188,099238055;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nanoélectronique et nanotechnologie;soutenue;;02-10-2019;en;2019GREAT051;oui;18-05-2020;26-05-2020;
Thomas Bedecarrats;243112491;Etude et intégration d’un circuit analogique, basse consommation et à faible surface d'empreinte, de neurone impulsionnel basé sur l’utilisation du BIMOS en technologie 28 nm FD-SOI;Philippe Galy,Claire Fenouillet-Béranger,Sorin Cristoloveanu;Galy Philippe,Fenouillet-Béranger Claire,Cristoloveanu Sorin;05039875X,06122555X,030493188;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nanoélectronique et nanotechnologie;soutenue;;04-09-2019;fr;2019GREAT045;oui;18-05-2020;26-05-2020;
Vincent Ah-Leung;24841674X;Développement de procédés de gravure des espaceurs Si3N4 pour les technologies sub-10nm;Nicolas Possémé;Possémé Nicolas;091664470;Université Grenoble Alpes;240648315;Nanoélectronique et nanotechnologie;soutenue;;02-03-2020;fr;2020GRALT002;oui;07-07-2020;23-11-2020;
Sana Rachidi;252334949;Développement de procédés de gravure isotrope de Silicium sélectivement au silicium Germanium pour des applications CMOS sub 10nm;Nicolas Possémé,Alain Campo,Virginie Loup;Possémé Nicolas,Campo Alain,Loup Virginie;091664470,068670109,073775193;Université Grenoble Alpes;240648315;Nanoélectronique et nanotechnologie;soutenue;;15-09-2020;fr;2020GRALT030;oui;07-07-2020;05-01-2021;
Omar El Beqqali;137079478;Propriétés électriques et diffusion d'impuretés dans des matériaux organiques : application à l'électronique moléculaire;Monique Maitrot;Maitrot Monique;13983110X;Lyon 1;026402823;Sciences. Electronique;soutenue;;01-01-1990;fr;1990LYO10116;non;24-05-2013;10-07-2020;
Virginie Bernical;146200225;Le Transistor organique transparent : modélisation et premiers essais avec le pentacène;Thierry Trigaud,Jean-Pierre Moliton;Trigaud Thierry,Moliton Jean-Pierre;083156178,02859875X;Limoges;026403315;Electronique des hautes fréquences et optoélectronique;soutenue;;01-01-2008;fr;2008LIMO4064;oui;24-05-2013;15-07-2020;
Julien Brochet;159729033;Etude de transistors en couches minces à base de silicium polymorphe pour leur application aux écrans plats à matrice active LCD ou OLED;Pere Roca i Cabarrocas,François Templier;Roca i Cabarrocas Pere,Templier François;034125663,159729459;Grenoble;030327202;Sciences et technologie industrielles;soutenue;;04-10-2011;fr;2011GRENT078;oui;27-03-2012;26-05-2020;
Khalid Kandoussi;123854466;Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH₄-H₂-Ar.;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2007;fr;2007REN1S159;non;24-05-2013;16-07-2020;
ANNE-CLAIRE SALAUN MICHEL;;Analyse et caracterisation d'interfaces silicium polycristallin/dioxyde de silicium pour des applications a des capacites et des transistors en couches minces;Bertrand Fortin;Fortin Bertrand;030484928;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-1996;fr;1996REN10055;non;24-05-2013;17-02-2021;
KARINE MOURGUES;;Realisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin par des procedes basse temperature ( 600 \c) sans etape d'hydrogenation;FRANCOIS RAOULT;RAOULT FRANCOIS;;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-1999;fr;1999REN10013;non;24-05-2013;21-01-2021;
Maher Oudwan;129452068;Etude des propriétés des transistors en couches minces à base de silicium microcristallin pour des applications d'écran plats à matrice active;Pere Roca i Cabarrocas;Roca i Cabarrocas Pere;034125663;Grenoble INPG;026388804;Micro et nano-électronique;soutenue;;01-01-2007;fr;2007INPG0128;non;24-05-2013;08-09-2020;
Abdallah Sakri;234762179;Realisation et caracterisation de transistors en couches minces de silicium polycristallin : effet du podage et de l'epaisseur du film sur les caracteristiques electriques;Yves Colin;Colin Yves;234762195;Rennes 1;02778715X;Physique;soutenue;;01-01-1989;fr;1989REN10115;non;24-05-2013;16-02-2021;
Hicham El-Din Mahfouz Kotb;079493114;Microstructures en silicium polycristallin déposé sur verre. Application à la réalisation et la caractérisation de transistors en couche mince à grille suspendue;Tayeb Mohammed-Brahim;Mohammed-Brahim Tayeb;069677913;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2004;fr;2004REN10050;non;24-05-2013;11-07-2020;
Meriem Zaghdoudi;144827808;Effet du dopage sur les propriétés de transport des couches de silicium polycristallin : application à la réalisation de transistors à base de ces couches;Tayeb Mohammed-Brahim,Mohamed Fathallah,Mehdi Abdelkrim;Mohammed-Brahim Tayeb,Fathallah Mohamed,Abdelkrim Mehdi;069677913,144828049,144879034;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2009;fr;2009REN1S205;non;24-05-2013;12-07-2020;
Peng Zhang;168706172;Development and fabrication of vertical thin film transistors based on low temperature polycrystalline silicon technology;Olivier Bonnaud,Régis Rogel;Bonnaud Olivier,Rogel Régis;069861110,059089660;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2012;en;2012REN1S156;oui;24-05-2013;15-07-2020;
Mohamed Alioune Sankharé;221081933;Contribution au développement de systèmes électroniques organiques sur support souple : intégration de modèle pour la conception de circuits;Philippe Pannier,Emmanuel Bergeret;Pannier Philippe,Bergeret Emmanuel;061169471,139875417;Aix-Marseille;15863621X;Micro et Nanoélectronique;soutenue;;13-09-2016;fr;2016AIXM4335;oui;16-02-2018;05-02-2021;
Erwann Carvou;070463794;Réalisation et caractérisation de structures intégrées en technologie BCD de micro-capteurs de positionmagnétiques réalisés à partir de couches de silicum polycristallin dopées in-situ;Olivier Bonnaud;Bonnaud Olivier;069861110;Rennes 1;02778715X;Electronique;soutenue;;01-01-2003;fr;2003REN10015;non;24-05-2013;07-05-2020;
Clément Talagrand;192338234;Transistor en couches minces avec canal en oxyde d’indium de gallium et de zinc : matériaux, procédés, dispositifs;Philippe Collot;Collot Philippe;144593645;Saint-Etienne, EMSE;028028694;Microélectronique;soutenue;;23-10-2015;fr;2015EMSE0797;oui;04-04-2016;04-04-2016;
Andrea Magri;184190592;Multifunctional complexes for molecular devices;Mario Ruben;Ruben Mario;180825704;Strasbourg;131056549;Chimie physique;soutenue;;12-12-2014;en;2014STRAE036;oui;03-02-2012;27-04-2018;
Abdelmalek Boukhenoufa;10050650X;Modélisation du comportement électrique dans les TFTs en silicium polycristallin;Laurent Pichon;Pichon Laurent;100506372;Caen;026403064;Electronique et micro-électronique;soutenue;;01-01-2005;fr;2005CAEN2052;non;28-02-2014;11-07-2020;
Joseph Rhayem;;Caractérisation et modélisation du bruit en 1/f des transistors à films minces élaborés sur silicium amorphe;Dominique Rigaud;Rigaud Dominique;091952050;Montpellier 2;026404214;Electronique, optronique et systèmes;soutenue;;01-01-2000;fr;2000MON20055;non;24-05-2013;07-03-2020;
Maxime Garcia barros;230407102;Développement et caractérisation de procédés de gravure des espaceurs Si3N4 et SiCO pour la technologie FDSOI 14nm.;Nicolas Possémé;Possémé Nicolas;091664470;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nano electronique et nano technologies;soutenue;;10-04-2018;fr;2018GREAT028;oui;18-05-2020;26-05-2020;
Maxime Bizouerne;23043293X;Développement de procédés de gravure plasma sans dommages pour l'intégration de l'InGaAs comme canal tridimensionnel de transistor nMOS non-planaire;Erwine Pargon;Pargon Erwine;086160990;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nano electronique et nano technologies;soutenue;;20-04-2018;fr;2018GREAT030;oui;18-05-2020;26-05-2020;
Mohamad Awad;233176128;Conception d'un circuit electonique pour la récupération d'énergie électromagnétique en technologie FDSOI 28 nm;Philippe Benech,Jean-Marc Duchamp;Benech Philippe,Duchamp Jean-Marc;071049231,097700282;Université Grenoble Alpes (ComUE);184668794;Nano electronique et nano technologies;soutenue;;20-09-2018;fr;2018GREAT060;oui;18-05-2020;26-05-2020;
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