Joaquin Portilla
IdRefMots clés
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Transistors à effet de champ à dopage modulé
Nitrure de gallium
GaN HEMT
Pièges
Signature de pièges
TCAD simulation
Paramètres S BF
IDLTS
Densité spectrale du courant de bruit
Semiconducteurs
Carbure de silicium
APSE
MMIC
HEMTs GaN
Signaux sur porteuse modulée
DPD
PAE
EVM.APSE
Amplificateurs de puissance
Systèmes de télécommunications