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Julian Duchaine

est l'auteur d'une thèse

Activation et diffusion du bore Fd-soi Implantation ionique Implantation par immersion plasma Ions -- Implantation MOS Plasma Silicium Tri-gate

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Activation et diffusion du bore Fd-soi Implantation ionique Implantation par immersion plasma Ions -- Implantation MOS Plasma Silicium Tri-gate

Julian Duchaine a rédigé la thèse suivante :

Caractérisation de l'implantation par immersion plasma avec pulsion(r) et intégration dans la fabrication de transistors FD-SOI et Trigate

par Julian Duchaine sous la direction de Alain Claverie - Toulouse 3

Génie électronique

Soutenue en 2012

Thèse soutenue