Thèse soutenue

Intégration de matériaux III-V à base d’arséniures et d’antimoniures pour la réalisation de transistors TriGate et NW à haute mobilité
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Auteur / Autrice : Tiphaine Cerba
Direction : Thierry Baron
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Nano electronique et nano technologies
Date : Soutenance le 24/10/2018
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire des technologies de la microélectronique (Grenoble)
Jury : Président / Présidente : Jumana Boussey
Examinateurs / Examinatrices : Eric Tournié, Maryline Bawedin
Rapporteurs / Rapporteuses : Xavier Wallart, Yvon Cordier

Mots clés

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Résumé

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La miniaturisation des transistors a progressé par noeud technologique avec l’introduction successive de nouveaux matériaux (high k) et de nouvelles architectures (FinFET, NWFET). Pour les noeuds technologiques avancés, une nouvelle rupture en matériau est envisagée pour remplacer le Silicium du canal de conduction par des matériaux à forte mobilité (2D, III-V). Les matériaux III-V sont de bons candidats pour répondre à cette problématique grâce à leur forte mobilité de type n (InGaAs, InAs, InSb) ou de type p (GaSb). Au cours de cette thèse, un intérêt particulier a été porté au couple de matériaux InAs/GaSb, qui offre un avantagesupplémentaire de par son accord de paramètre de maille permettant d’accéder dans une même structure à des couches de mobilités n et p. La croissance de matériau III-V directement sur substrat (001)-Si 300mm est aujourd’hui un challenge d’intérêt majeur pour proposer des procédés compatibles avec les plateformes industriels CMOS. Ces croissances restent complexes à cause de la formation de défauts : parois d’antiphase, dislocations, fissures ; générées respectivement par la différence depolarité, de paramètre de maille et de coefficient d’expansion thermique, entre le Silicium et les matériaux III-V. Dans cette thèse nous présentons une première démonstration de croissance par MOVPE de GaSb directement sur substrat (001)-Si nominal 300mm compatible avec les plateformes industrielles CMOS. Les couches de GaSb présentent une rugosité de surface sub-1nm, et une qualité cristalline au niveau de l’état de l’art en MBE. La croissance d’une couche d’InAs a ensuite permis la réalisation d’un démonstrateur FinFET à canaux multiples d’InAs. Ce derniera été élaboré via une technique lithographique alternative à haute résolution basée sur l’utilisation de copolymère à bloc. Ce procédé simple pour réaliser des canaux de conduction permet d’accéder à une forte densité de fils, de faibles dimensions, et en seulement cinq étapes de fabrication.