Développement de procédés d'épitaxie basse température pour les technologies CMOS FD-SOI avancées
Auteur / Autrice : | Maxime Labrot |
Direction : | Pierre Müller, Fabien Cheynis |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique et sciences de la matière |
Date : | Soutenance le 05/12/2016 |
Etablissement(s) : | Aix-Marseille |
Ecole(s) doctorale(s) : | Ecole Doctorale Physique et Sciences de la Matière (Marseille) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINAM) |
Entreprise : STMicroelectronics | |
Jury : | Président / Présidente : Geneviève Grenet |
Examinateurs / Examinatrices : David Barge, Joël Eymery | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Marie-Paule Besland, Jean-Michel Hartmann |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Ce travail de thèse s’inscrit dans la technologie de fabrication de transistors à canal mince (Si ou SiGe) totalement déserté sur isolant (Fully-Depleted Silicon-on-Insulator ou FDSOI) qui constitue une option prometteuse pour les nœuds 14nm et au-delà. Les problèmes liés à cette nouvelle technologie sont dus à : (1) l’existence d’instabilités morphologiques conduisant, lors de recuits haute température, à la fragmentation de la couche mince formant le canal, (2) la nécessité d’une reprise d’épitaxie SiGe:B afin de former, sur le canal, des sources et drains surélevées (Raised Source and Drain ou RSD) et (3) des problèmes liés à l’hétérogénéité du dopage induits par l’importance des interfaces substrat/canal, canal/Source et canal/Drain.Ce travail expérimental a été effectué au sein de la société STMicroelectronics en partenariat avec le Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille. Les principaux résultats obtenus sont : 1/ La mise au point, puis l’optimisation d’une méthode de nettoyage de surface à basse température permettant d’éviter la fragmentation du canal observée lors de recuits haute température.2/ L’optimisation des conditions de préparation de la surface du canal permettant de réaliser une bonne reprise d’épitaxie pour les sources et drains surélevées.3/ L’optimisation, via l’incorporation de carbone, des profils de dopage au bore des sources et drains épitaxiés. Les tests électriques effectués sur dispositifs industriels montrent que, grâce aux développements réalisés au cours de ces travaux de thèse, le pourcentage de puces actives sur une plaque est passé de 40% à 90%.