Etude de la fiabilité à long terme des transistors HEMT à base de GaN

par Alexis Divay

Thèse de doctorat en Physique - Génie électrique, électronique, photonique et systèmes

Sous la direction de Olivier Latry, Cédric Duperrier et de Farid Temçamani.


  • Résumé

    Les performances des HEMTs AlGaN/GaN sont en passe de devenir une technologie de référence pour les applications de forte puissance dans le domaine radiofréquence. Cependant, le manque de retour d'expérience sur la fiabilité de ces dispositifs se fait ressentir chez les industriels des domaines de la défense, de l'automobile et des télécommunications à cause de la jeunesse de cette filière. Cette étude se porte donc sur la fiabilité à long terme de transistors HEMT AlGaN/GaN de puissance en régime RADAR. Elle repose notamment sur des caractérisations électriques des composants, le développement d'une méthode athermique de caractérisation de pièges ainsi que le stress de ces transistors sur un banc de vieillissement dédié. La somme des caractérisations avant, pendant et après vieillissement ainsi que les analyses micro-structurales permet de définir des hypothèses quant à l'origine physique des dérives de performances de ces composants.

  • Titre traduit

    Study of the long term reliability of GaN HEMT transistors


  • Résumé

    AlGaN/GaN HEMTs are on their way to become a reference technology for high power and high frequency applications. However, the lack of feedback regarding the reliability of such devices can be felt by the defense, automotive and telecommunications industrialists because of its lack of maturity. This study deals with the long term reliability of power AlGaN/GaN HEMTs in RADAR operating mode. It is based upon electrical characterizations, the development of an athermal measurement technique for traps and RF stresses on an ageing bench. The sum of all the characterizations before, during and after the ageing tests as well as micro-structural analyses allows to define hypotheses regarding the physical origin of the performance drift of such components.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (206 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 172 références

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  • Bibliothèque : Université de Rouen. Service commun de la documentation. Section sciences site Madrillet.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 15/ROUE/S054
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