Analyse et caractérisation des couplages substrat et de la connectique dans les circuits 3D : Vers des modèles compacts
| Auteur / Autrice : | Fengyuan Sun |
| Direction : | Christian Gontrand |
| Type : | Thèse de doctorat |
| Discipline(s) : | Electronique |
| Date : | Soutenance le 19/07/2013 |
| Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
| Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
| Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut des Nanotechnologies de Lyon (Villeurbanne -Ecully, Rhône ; 2007) - Institut des Nanotechnologies de Lyon - Site de l'INSA / INL |
| Jury : | Président / Présidente : Catherine Bru-Chevallier |
| Examinateurs / Examinatrices : Christian Gontrand, Catherine Bru-Chevallier, Patrick Garda, Luc Hébrard, Gilles Poupon, Francis Calmon | |
| Rapporteurs / Rapporteuses : Patrick Garda, Luc Hébrard | |
| DOI : | 10.70675/a2c0f551zbc75z4045z9e9dzc2a4a3b3d074 |
Résumé
L’intégration 3D est la solution technologique la plus prometteuse pour suivre le niveau d’intégration dictée par la loi de Moore (cf. more than Moore, versus more Moore). Elle entraine des travaux de recherche importants depuis une douzaine d’années. Elle permet de superposer différents circuits et composants dans un seul boitier. Son principal avantage est de permettre une association de technologies hétérogènes et très spécialisées pour la constitution d’un système complet, tout en préservant un très haut niveau de performance grâce à des connexions très courtes entre ces différents circuits. L’objectif de ce travail est de fournir des modélisations cohérentes de via traversant, ou/et de contacts dans le substrat, avec plusieurs degrés de finesse/précision, pour permettre au concepteur de haut niveau de gérer et surtout d’optimiser le partitionnement entre les différentes strates. Cette modélisation passe par le développement de plusieurs vues à différents niveaux d’abstraction: du modèle physique au modèle « haut niveau ». Elle devait permettre de répondre à différentes questions rencontrées dans le processus de conception :- le modèle physique de via basé sur une simulation électromagnétique 2D ou 3D (solveur « éléments finis ») est utilisé pour optimiser l’architecture du via (matériaux, dimensions etc.) Il permet de déterminer les performances électriques des via, notamment en haute fréquence. Les simulations électromagnétiques permettent également de quantifier le couplage entre via adjacents. - le modèle compact analytique de via et de leur couplage, basé sur une description de type ligne de transmission ou noyaux de Green, est utilisé pour les simulations au niveau bloc, ainsi que des simulations de type Spice. Les modèles analytiques sont souvent validés par rapport à des mesures et/ou des modèles physiques.