Développement de limiteurs de puissance radiofréquence à MEMS-RF

par Jonathan Gauvin

Thèse de doctorat en Electronique des Hautes Fréquences et Optoélectronique

Sous la direction de Pierre Blondy.

Soutenue en 2012

à Limoges , en partenariat avec Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    L'évolution constante des systèmes de télécommunications a conduit à la nécessité de les protéger contre d'éventuelles agressions extérieures pouvant causer une détérioration des récepteurs radars ou satellites par exemple. Des dispositifs limiteurs de puissance sont alors placés en tête des chaînes de réception pour éviter un dysfonctionnement du système lors d'un éblouissement dû a un signal de forte puissance. Malgré leurs pertes d'insertion importantes et leur consommation de puissance non négligeable, les limiteurs de puissance à diodes permettent aujourd'hui de remplir cette fonction. Depuis quelques années, les MEMS-RF à actionnement électrostatique ont montré qu'ils pouvaient remplacer les semi-conducteurs dans des dispositifs accordables puisque les pertes et la consommation de cette technologie sont bien meilleures. Ainsi, l'étude de faisabilité d'un limiteur de puissance à MEMS-RF, totalement passif, à consommation quasi-nulle et à tres faible pertes constitue une solution intéressante et innovante pour permettre la réduction des coûts d'un système tout en améliorant ses performances. Le travail de recherche de cette thèse s'inscrit dans ce contexte et vise à investiguer la possibilité d'intégrer les MEMS-RF pour protéger les récepteurs des systèmes de télécommunications.

  • Titre traduit

    Development of microwave power limiter RF-MEMS-based


  • Résumé

    The constant evolution of telecommunications systems has led to the necessity to protect them against possible attacks that can cause deterioration of radar or satellite receivers. Thus, microwave power limiting devices are placed in front-ends receivers chains to avoid system malfunction during a glare. Despite their signicant insertion loss and high power consumption, devices using PIN and Schottky diodes perform the power limiting function. In recent years, electrostatically actuated RF-MEMS demonstrated they can replace semiconductors in tunable devices since losses and consumption of this technology are much better. Thus, the study of a power limiter RF-MEMS-based, fully passive with almost zero consumption and very low losses is an interesting and innovative solution to reduce costs while improving performances of this kind of system. The research of this thesis is in this context and aims to investigate the possibility of integrating RF-MEMS into front-end receivers to protect telecommunications systems against high power signals.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (178 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 173-178

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  • Bibliothèque : Université de Limoges (Section Sciences et Techniques). Service Commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
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