Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil

par Guillaume Rosaz

Thèse de doctorat en Sciences et technologie industrielles

Sous la direction de Thierry Baron.

Soutenue le 11-12-2012

à Grenoble , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec Laboratoire des Technologies et de la Microélectronique (équipe de recherche) .

Le président du jury était Gérard Ghibaudo.

Le jury était composé de Guilhem Larrieu, Jean-Louis Leclercq, Bassem Salem, Nicolas Pauc.

Les rapporteurs étaient Jean-Luc Autran, Emmanuel Dubois.


  • Résumé

    Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistors vont nous permettre d’augmenter la densité d’intégration et de réaliser de nouvelles fonctionnalités (par exemple : des interconnections reconfigurables) dans les zones froides d’un circuit intégré. La thèse proposée se déroulera dans le cadre d'une collaboration entre le laboratoire LTM-CNRS et le laboratoire SiNaPS du CEA/INAC/SP2M et utilisera la Plateforme Technologique Amont (PTA) au sein du pôle MINATEC.

  • Titre traduit

    3D Integration of Si/SiGe heterostructured nanowires for nanowire transistors.


  • Résumé

    The goal of this thesis is to build and characterize nanowire based field-effect-transistors. These FET will have either back or wrapping gate using standard CMOS process. Theses transistors will allow us to increase the integration density in back end stages of IC's fabrication and add new functionnalities suc as reconfigurable interconnections. The thesis will be done in collaboration between LTM/CNRS and CEA/INAC/SP2M/SiNaPS laboratories using the PTA facilities located in MINATEC.


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