Etudes théorique et expérimentale des performances des dispositifs FD SOI sub 32 nm

par Imed Ben Akkez

Thèse de doctorat en Sciences et technologie industrielles

Sous la direction de Francis Balestra.

Soutenue le 20-12-2012

à Grenoble , dans le cadre de École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble) , en partenariat avec Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique (équipe de recherche) .

Le président du jury était Georges Brémond.

Le jury était composé de Francis Balestra, Antoine Cros, Gerard Ghibaudo.

Les rapporteurs étaient Pascal Masson, Matteo Valenza.


  • Résumé

    > Ce manuscrit présente une étude théorique et expérimentale effectuée sur des transistors MOSFET d’une> technologie avancée de type FD SOI (complètement déserté silicium sur isolant). Des mesures électriques> combinées avec des modélisations ont été effectuées dans le but d’apporter des explications sur des phénomènes> liés à réductions des dimensions des transistors. Ce travail de thèse donne une réponse partielle de l’impact de ces> aspects sur les paramètres électrique ainsi que les paramètres de transport."

  • Titre traduit

    heoretical and experimental studies of FD SOI devices performances for sub 32 nm nodes


  • Résumé

    This manuscript presents a theoretical and experimental study carried out on advanced technology the FD SOI MOSFETs (Fully Depleted Silicon On Insulator MOSFET’s). Electrical measurements combined with modeling were performed with an aim of bringing explanations of phenomena related to the dimension reduction in these structures. This work gives an answer of the impact of these aspects on the electrical parameters and on the carriers transport in the channel.


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