Croissance et propriétés de nanostructures à base de ZnO

par Farid Falyouni

Thèse de doctorat en Physique et sciences des matériaux

Sous la direction de Pierre Galtier.

Soutenue en 2011

à Versailles-St Quentin en Yvelines .

  • Titre traduit

    Growth and properties of ZnO nanostructures


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  • Résumé

    Ce travail a pour objectif d'étudier la croissance et les propriétés des nanostructures unidimensionnelles (nanofils) à base de ZnO. Ces nanostructures ont été réalisées par approche bottom-up selon deux mécanismes de croissance : Vapeur-Solide (VS, non catalysé) et Vapeur-Liquide-Solide (VLS, catalysé via une gouttelette d'or). Les matériaux étudiés sont élaborés par MOCVD. Les nanofils ont été caractérisés par différentes techniques, notamment en microscopie électronique à balayage (MEB), microscopie électronique en transmission TEM, spectroscopie Raman, spectroscopie de Photoluminescence (PL) et spectroscopie de Cathodoluminescence (CL). Dans un premier temps, nous portons notre attention à la croissance des nanostructures de ZnO selon le mécanisme VS. D’abord, une étude expérimentale nous a permis déterminer une condition nécessaire à la croissance spontanée de nanofils et de nanoaiguilles. En suite, nous présentons une étude comparative entre TEM et CL sur ces aiguilles de ZnO. Dans un second temps, nous étudions la croissance des nanostructures de ZnO selon le mécanisme catalysé VLS, pour lequel les fils de ZnO poussent sous une bille d'or. Nous nous intéressons plus particulièrement à l’impact des paramètres de croissance (température, rapport VI/II, pression et substrat) sur la morphologie des nanostructures et la cinétique de croissance. L’analyse structurale de nanostructures variées, nano -fils, -aiguilles, -rubans de ZnO, est réalisée par MEB et TEM. Enfin, un dernier volet concerne la possibilité de dopage des nanofils ZnO. L'incorporation d'impuretés d'azote, dopant potentiel en vue du type p, a été étudiée. Les analyses Raman et PL sur des nanofils dopés à l’azote montrent que l’azote est bien incorporé dans les fils mais que cette incorporation n’est pas homogène le long des fils.

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  • Détails : 1 vol. (175 f.)
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  • Bibliothèque : Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines. Direction des Bibliothèques et de l'Information Scientifique et Technique-DBIST. Bibliothèque universitaire Sciences et techniques.
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  • Cote : 620.5 FAL
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