Intégration de filtres Radio Fréquences en technologie intégrée Silicium

par Michel Al Khoury

Thèse de doctorat en Électronique des hautes fréquences, photonique et systèmes

Sous la direction de Bernard Jarry, Bruno Barelaud et de Julien Lintignat.

Soutenue en 2011

à Limoges , en partenariat avec Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    Les systèmes de télécommunications sans fil ont évolué de façon rapide depuis une vingtaine d’année. La conception de ces systèmes est soumise à de nombreuses contraintes : le coût de production, les techniques d’intégration des composants, l’encombrement, etc. La technologie monolithique et plus précisément les procédés de fabrication de circuits silicium (CMOS et BiCMOS) offrent depuis plusieurs années une possibilité de pallier à ce type de difficultés. Ils permettent aujourd’hui l’intégration de plusieurs fonctions RF et mixte sur une seule puce. Malheureusement, la conception de certaines fonctions RF pose encore problème. C’est le cas des filtres radiofréquences qui constituent les éléments essentiels du système de télécommunication. Les exigences demandées pour ces filtres conduisent à étudier des solutions de filtres actifs ; en effet les structures passives (à cavités ou à résonateurs diélectriques ou à ondes acoustiques de surface) ne permettent pas d’avoir de meilleures performances en termes de pertes d’insertion, sélectivité, encombrement et accordabilité fréquentielle. Dans cette thèse préparée avec le soutien contractuel de l’ANR (projet SRAMM - Systèmes de Réception Adaptatifs Multimodes Multistandards), nous nous sommes intéressés à l’étude d’une nouvelle topologie de filtrage actif LC basée sur l’utilisation d’une inductance compensée à trois inductances couplées. Notre travail consiste également à définir une méthodologie de modélisation des trois inductances couplées et à utiliser cette dernière pour la réalisation d’un circuit LNA filtrant accordable utilisable en bande GSM3G

  • Titre traduit

    Integration of Radio Frequency filters in integrated silicon technology


  • Résumé

    Wireless communications have evolved rapidly over the past twenty years. The design of these systems face some challenges: production cost, components integration techniques, size reduction, etc. Since many years, monolithic technology and specifically the manufacturing processes of silicon circuits (CMOS and BiCMOS) offer an opportunity to overcome such difficulties. Nowadays, they allow the integration of several RF and mixed functions on a single chip. However, the design of some RF functions is still a problem. This is the case of RF filters which constitute the essential elements of GSM telecommunications system. The demanded requirements by these filters lead to study solutions of active filters because passive structures (cavity, dielectric or SAW - Surface Acoustic Wave) do not allow better performance in term of insertion losses, selectivity, size reduction and frequency tuning. In this thesis, supported by an ANR contract (SRAMM project - Systèmes de Réception Adaptatifs Multimodes Multistandards), we were interested in the study of a new topology for active LC filter using Q-enhanced inductors. Our research analysis also consisted in defining a methodology for modeling three coupled inductors and using it to implement tunable LNA filter circuit useable in GSM3G system.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (164 p.)
  • Annexes : Bibliographie, 14 p.

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  • Bibliothèque : Université de Limoges (Section Sciences et Techniques). Service Commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
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