Lacréation de défauts de déplacements atomiques dans le silicium et son impact sur les composants électroniques à applications spatiales

par Pierre Arnolda

Thèse de doctorat en Génie électrique

Sous la direction de Christophe Inguimbert.

Soutenue en 2011

à Toulouse, ISAE .


  • Résumé

    L'environnement spatial est constitué de particules énergétiques comme les protons ou les électrons qui produisent dans le matériau des déplacements atomiques responsables de la dégradation des propriétés électriques des composants embarqués. Habituellement, pour prédire les dégradations subit d’un composant en fin de mission, et dire si il vérifie les spécifications en vigueur, on utilise la « dose équivalente de dommage» qui est déduite du pouvoir d'arrêt nucléaire (NIEL : Non Ionizing Energy Loss). Dans certains cas, ces méthodes de prédictions qui dépendent de la précision sur les NIEL, montrent leurs limites, notamment pour les électrons. Nous proposons dans ce travail, un nouveau modèle de NIEL qui intègre aux hypothèses de calculs classiques de nouveaux phénomènes physiques. Ce modèle a été validé par comparaison à des dégradations mesurées sur des composants irradiés (concentration de défauts, courants parasites).

  • Titre traduit

    Displacement defect creation in silicon and the impact on electronic components used for space applications


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Informations

  • Détails : 1 vol. (131 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p.121-127

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut Supérieur de l'Aéronautique et de l'Espace. Service documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2011/16 ARN
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