Contribution à l’étude du bruit basse fréquence dans des hétérostructures AlGaAs/GaAs/AlGaAs

par Souheil Mouetsi

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Abdelillah El Hdiy et de Mohamed Bouchemat.

Soutenue en 2010

à Reims en cotutelle avec l'Université Mentouri-Constantine .


  • Résumé

    Le travail présenté dans ce mémoire a pour objet la caractérisation d’un gaz bidimensionnel d’électrons dans une hétérostructure AlGaAs/GaAs/AlGaAs par la méthode de bruit basse fréquence à des différentes tensions de polarisation et à différentes températures (4 - 300K). Plusieurs sources de bruit contribuant au spectre total de bruit (bruit thermique, bruit de génération - recombinaison (G-R) et bruit en 1/f) ont été identifiés. Grâce au bruit thermique, nous avons montré qu’il est possible d’accéder aux résistances de contact. L’analyse du bruit de G-R a permis d’identifier des défauts sources de ce type de bruit. Pour ce faire, il a fallu déterminer les énergies d’activation thermiques et les sections efficaces de capture caractérisant ces défauts. L’étude du bruit en 1/f a été faite de deux manières ; d’abord l’application du modèle de Hooge a permis de montrer que ce bruit est causé essentiellement par la fluctuation de la mobilité du réseau. Puis, l’application du modèle modifié de Handel a permis de renforcer la proposition de la fluctuation de la mobilité

  • Titre traduit

    Contribution to the study of low frequency noise in heterostructures AlGaAs/GaAs/AlGaAs


  • Résumé

    The study presented in this manuscript is devoted to characterize a two dimensional electron gaz (2DEG) in a AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure by using the low frequency noise technique. The study was made for different bias voltages and at different temperatures (4 - 300 K). Several noise sources (thermal noise, generation-recombination noise (G-R) and 1/f noise) contributing to the total spectrum were identified. With thermal noise, we have shown that it was possible to access to the contact resistances. Analysis of the G-R noise has allowed identification of defects responsible of this noise. To do this, it was necessary to determine thermal activation energies and capture cross sections characterizing these defects. The study of 1/f noise was made in two ways: first, application of the Hooge model showed that this noise is mainly caused by the network mobility fluctuation. Then, applying the modified model of Handel has strengthened the proposal fluctuation of the mobility

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  • Détails : 1 vol. (153p.)
  • Annexes : Bibliogr. f.

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  • Bibliothèque : Université de Reims Champagne-Ardenne. Bibliothèque universitaire. Bibliothèque Moulin de la Housse.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 10REIMS023
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  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 10REIMS023Bis
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