Réalisation d’un dépôt électrolytique de couche d’accroche, en cuivre, pour les structures d’interconnexions avancées en microélectronique

par Mariana Amuntencei

Thèse de doctorat en Chimie - Physique et chimie analytique

Sous la direction de Daniel Lincot.

Soutenue en 2010

à Paris 6 .


  • Résumé

    La miniaturisation des circuits intégrés pose des problématiques technologiques pour chaque génération. Un des défis majeurs est la réalisation des interconnexions en cuivre. Ces structures sont formées selon l’approche damascène, dans laquelle les lignes et trous de conductions sont imprimés en creux dans le substrat, puis remplis de métal. Dans l’étape de métallisation, la couche d’accroche en Cu PVD devient de plus en plus fine et des discontinuités apparaissent sur les flancs des motifs. Ceci entraîne l’apparition de trous dans les lignes qui limitent les performances des structures. Une solution apportée consiste à améliorer la qualité de la couche en Cu PVD, par un procédé électrolytique appelée SLE. Son application sur des interconnexions étroites a permis l’obtention d’une couche en Cu continue et conforme. Un deuxième procédé a été étudié pour déposer du cuivre directement sur une barrière métallique. Le procédé DoB est une solution apportée pour la fabrication de vias traversant en favorisant la nucléation du cuivre au fond de ces motifs. Ce procédé peut être une alternative pour remplacer la couche d’accroche PVD pour les futures interconnexions

  • Titre traduit

    Copper seed layer by electrochemical deposition for interconnects structures on microelectronics


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Informations

  • Détails : 1 vol. ([X]-271 p.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres. 155 réf. bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 2010 706
  • Bibliothèque : Centre Technique du Livre de l'Enseignement supérieur (Marne-la-Vallée, Seine-et-Marne).
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : PMC RT P6 2010 706
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