Thèse soutenue

Etude, analyse et réalisation d'un système de choix automatique de scènes dans le cadre d'une thérapie par mise en situation virtuelle pour la phobie sociale
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Auteur / Autrice : Abdelhak Moussaoui
Direction : Alain PruskiBrahim Cherki
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Automatique
Date : Soutenance le 09/11/2010
Etablissement(s) : Metz
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale IAEM Lorraine - Informatique, Automatique, Électronique - Électrotechnique, Mathématiques de Lorraine
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : LASC - Laboratoire d'Automatique humaine et de Sciences Comportementales - EA 3467
Jury : Président / Présidente : Philippe Fuchs
Examinateurs / Examinatrices : Nasr-Eddine Berrached, Guy Bourhis, Étienne Colle

Mots clés

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Résumé

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Ce travail de thèse s’inscrit dans le cadre de l’étude des réponses optiques des nanocristaux à base de semiconducteurs II-VI. Ici nous avons déterminé les propriétés optiques de ZnTe, ZnS et ‘ZnS : Mn’ nanostructurés par ellipsométrie spectroscopique (SE). Nous avons déterminé la fonction diélectrique et les transitions optiques des NC-ZnTe par SE dans la gamme spectrale 0.6 à 6.5 eV. L’influence de la taille des NC sur les propriétés optiques et en particulier sur les transitions optiques a été aussi montrée. Les réponses optiques ont été déterminées en utilisant deux modèles : le modèle des points critiques d’Adachi et la loi de dispersion de Tauc-Lorentz. Tout au long de ce travail, nous avons tenté de contribuer à la compréhension du processus d’absorption dans les NC semi-conducteurs avec une technique non destructive capable de rendre compte des phénomènes liés à la réduction de la taille. Malgré le caractère indirect de l’ellipsométrie nécessitant une bonne connaissance de l’échantillon, nous avons démontré qu’elle est capable de déterminer plusieurs propriétés des NC (indice de réfraction complexe, coefficient d’absorption, énergie de gap, signatures des transitions optiques, excès de NC, taille moyenne, épaisseurs des couches de silice) et même de tenir compte des défauts liés à l’implantation