Integration du siliciure de nickel pour les technologies cmos decananométriques : 65nm et en deça

par Benoît Froment

Thèse de doctorat en Micro et nano-électronique

Sous la direction de Roland Herino.

Soutenue en 2010

à Grenoble, INPG .


  • Résumé

    Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restaient ou restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, l'objectif de cette thèse est d'améliorer notre connaissance du NiSi, pour l'intégrer sur le nœud technologique 65nm et en deçà, et de caractériser et d'éventuellement résoudre tous les défis relatifs à l'intégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis en particulier de proposer un scénario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal.


  • Résumé

    The nickel silicide, pur or alloyed with Pt is nowadays used as a contact material for CM OS technologies because it requires a lower thermal budget, has a lower resistivity, consume less silicon, has a formation controlled by diffusion and forms a less resistive phase on SiGe, whereas its counterpart CoSb does not. Despite of theses advantages, a large number of troubles remained or remains linked to its integration in decananometric dimensions. Beyond a better knowledge of the NiSi behaviour in temperature and the nickel silicide properties, the goal of the thesis is to improve our knowledge of NiSi to integrate it on the 65nm technological node and beyond, and to characterize and eventually solve ail the challenges related to the integration of this new material in a downscaled environ ment. The results and characterizations obtained allowed us to propose a scenario of the formation of the silicide encroachment into the transistor channel.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (219 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 189 réf.

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS10/INPG/0063/D
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  • Cote : TS10/INPG/0063
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