Optimisation de la croissance de GaN de bonne qualité par HVPE et ELO-HVPE

par Ouassila Gourmala

Thèse de doctorat en Physique des matériaux

Sous la direction de Agnès Trassoudaine.

Soutenue en 2010

à Clermont-Ferrand 2 .


  • Résumé

    L'objectif de ce travail de thèse est l'optimisation du processus de croissance HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) de Gan de bonne qualité à travers des études systématiques en fonction de plusieurs paramètres expérimentaux (Substrat de base, orientation cristallographique, conditions de croissance) et en s'appuyant sur différentes techniques de caractérisation otique et physique (la microscopie électronique à balayage (MEB), la microscopie à force atomique (AFM), la photoluminescence (PL), la réflectivité, la micro- photoluminescence (µ-PL), la micro-réflectivité, et la microscopie électronique à transmission (TEM). Le but est de maîtriser la croissance de couches épaisses de GaN par HVPE et ELO-HVPE (Epitaxial Lateral Overgrowth) et de démontrer la faisabilité de structures de GaN à l'échelle sub-micronique

  • Titre traduit

    Optimization of the growth of good quality GaN By HVPE and ELO-HVPE. Application to thick layers and nanostructures


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  • Détails : 1 vol. (238 p.)

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  • Cote : 2010CLF22032
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