Auteur / Autrice : | Mouna Chetibi-RIah |
Direction : | Mohamed Masmoudi, Jérôme Marcon |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique. Électronique, optronique et systèmes |
Date : | Soutenance en 2009 |
Etablissement(s) : | Rouen |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Ce travail traite de la modélisation électrothermique du transistor LDMOS de puissance pour l’étude de sa fiabilité dans une application Radar. Dans une première partie, nous avons présenté les particularités des transistors MOS, et en particulier le LDMOS, par rapport aux transistors bipolaires. Nous avons étudié aussi l’influence de l’élévation de la température dans les composants semiconducteurs sur leurs grandeurs physiques pertinentes. Enfin, nous avons exposé les notions de base de la fiabilité des transistors de puissance et nous avons abordé les modes et les mécanismes de défaillance ainsi que les principales lois d’accélération de défaillance (température, densité de courant, injection des porteurs chauds). Dans une seconde partie, l’ensemble du processus d’extraction du modèle électrothermique d’un LDMOS est présenté en détails. Cette étude a été basée sur le MET modèle considéré comme le plus approprié pour les transistor RF LDMOS de puissance. Le banc de fiabilité utilisé pour effectuer les tests de vieillissement accélérés a été décrit au troisième chapitre. Le but recherché concerne la compréhension de la dégradation la fiabilité de ce type de composant en mode pulsé. Ainsi, toutes les dérives des paramètres électriques et RF après un vieillissement accélérés sont étudiées et discutées.