Phénomène d’injection de spin dans un semiconducteur à partir d’un contact ferromagnétique

par Michaël Tran

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Marie Georges.

  • Titre traduit

    Spin injection phenomena in a semiconductor from a ferromagnetic contact


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Cette thèse de doctorat s’inscrit dans le cadre très large de l’intersection entre les domaines de l’électronique de spin (spintronique) et le monde des semiconducteurs. La première partie traite de l’injection et la détection de courants polarisés en spin dans un semiconducteur en géométrie latérale (type MOS). Après avoir explicité de manière théorique les conditions favorables à l’injection et la détection de courants polarisés en spin dans un semiconducteur, cette problématique est illustrée par des expériences impliquant un détecteur optique (Spin-Led) puis électrique. Les expériences de transport sont réalisées sur des électrodes Co/Al₂/O₃/GaAs. Par mesure d’effet Hanle électrique, une accumulation de spin « géante » est mise en évidence. Nous développons alors un modèle de transport tunnel séquentiel à travers des états localisés qui permet d’expliquer l’amplitude des effets mesurés. La deuxième partie est consacrée à l’étude du semiconducteur magnétique dilué (DMS) (Ga,Mn)As. Ce matériau, dont l’origine du ferromagnétisme est très différente des métaux de transition, offre une alternative d’intégration d’un matériau ferromagnétique dans des hétérostructures semiconductrices. Nous montrons comment il est possible de mesurer de la TAMR (magnétorésistance anisotrope tunnel) sur des structures résonantes avec une résolution en tension très fine. Un effet de décalage des résonances en fonction de la direction de l’aimantation est mise en évidence. Nous montrons qu’avec une modélisation du problème par le modèle de Dietl, il est possible de relier le décalage des résonances à la présence d’une contrainte épitaxiale de la couche de (Ga,Mn)As.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (183 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 168-183

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Paris-Sud (Orsay, Essonne). Service Commun de la Documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 0g ORSAY(2009)263
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