Étude de la croissance et des propriétés de films minces d'AIN épitaxiés par jets moléculaires sur substrat silicium : application aux résonateurs acoustiques et perspectives d'hétérostructures intégrées sur silicium

par Jean-Christophe Moreno

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Fabrice Semond.

Soutenue en 2009

à Nice .

  • Titre traduit

    Study of growth and properties of aluminium nitride grown on silicon substrate by molecular beam epitaxy : application to bulk acoustic wave resonators and prospects regarding integrated heterostructures on silicon


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  • Résumé

    Ce travail concerne l’étude de la croissance épitaxiale de couches fines de nitrure d’aluminium (AIN) sur substrats silicium. Les propriétés structurales et optiques de l’AIN épitaxié par jets moléculaires sont étudiées en fonction de l’orientation et de la préparation de surface du substrat. La vitesse de propagation des ondes acoustiques et les coefficients piézoélectriques e31 et d33 sont mesurés. Des mesures préliminaires sur des résonateurs à ondes acoustiques de volume confirment que l’utilisation de couches épitaxiées permet la réalisation de composants capables de fonctionner à hautes fréquences. Dans la dernière partie, nous présentons des résultats collatéraux à cette étude et plus particulièrement nous montrons l’effet de l’amélioration de la qualité de la couche tampon d’AIN sur la croissance d’hétérostructures à bas de GaN sur substrat silicium et nous dégageons quelques perspectives concernant la fabrication de micro-nanostructures et la possibilité d’intégrer cette famille de matériaux à la filière silicium.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (143 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 137-143

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 09NICE4110
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