Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN : application aux transistors à haute mobilité d'électrons sur substrat silicium

par Nicolas Baron

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Yvon Cordier.

Soutenue en 2009

à Nice .

  • Titre traduit

    Optimization of the growth by ammonia source molecular beam epitaxy of AlxGa1-xN/GaN high electron mobility transistors on (111) oriented silicon substrate


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  • Résumé

    Des avancées significatives dans la synthèse des matériaux semiconducteurs à large bande interdite de la famille de GaN permettent aujourd’hui la réalisation de dispositifs optoélectroniques (diodes, lasers) mais aussi celle de dispositifs électroniques (transistor). L’absence de substrat natif GaN ou AlN a pour conséquence le recours à l’hétéroépitaxie sur des substrats de nature différente comme le silicium qui présente un grand intérêt de par son prix très compétitif, la taille des substrats disponibles et sa conductivité thermique. Néanmoins, les différences de paramètres de maille et de coefficients d’expansion thermique génèrent des défauts cristallins et des contraintes dans les matériaux élaborés qui peuvent, s’ils ne sont pas maîtrisés, dégrader les performances des dispositifs. Ce travail de thèse a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) d’hétérostructures à base de GaN sur substrat Si(111) en vue de la réalisation de transistors à haute mobilité d’électrons (Al,Ga)N/GaN. Ce travail avait pour objectif l’identification des paramètres de croissance susceptibles d’avoir un impact notable sur la qualité structurale et électrique de la structure HEMT (High Electron Mobility Transistor), et notamment sur l’isolation électrique des couches tampon et le transport des électrons dans le canal. Nous montrerons l’impact notable de certains paramètres de la croissance sur la qualité structurale et électrique de la structure HEMT. Nous verrons comment la relaxation des contraintes est liée au dessin d’empilement des couches, à leurs conditions d’élaboration et à la densité de défauts.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (262 p.)
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chap.

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 09NICE4105
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