Caractérisation des transistors à nanocristaux de silicium et des transistors SON par les techniques de bruit basse fréquence et de bruit télégraphique

par M'Hamed Trabelsi

Thèse de doctorat en Nanoélectronique

Sous la direction de Abdelkader Souifi et de Noureddine Yacoubi.

Soutenue en 2009

à Lyon, INSA .


  • Résumé

    La demande croissante en électronique a stimulé sans cesse le développement de nouveaux type de composants de petite taille qui nécessite la réduction de certains paramètres critiques qui est une solution fiable pour certains problèmes. L'obtention des dispositifs à nanocristaux de silicium par la technologie CMOS et des dispositifs à canal de conduction complètement isolé du substrat par la technologie SON (Silicon On Nothing) souffrent encore des effets parasites qui pénalisent leurs fonctionnement. En effet, la présence d’un de��faut localisé à l’interface oxyde de grille/canal de ces dispositifs provoque l’apparition de certaines fluctuations indésirables dans leurs caractéristiques de sorties. L’objectif de travail de cette thèse a été d’analyser les défauts électriquement actifs localisés à l’interface oxyde-canal, sur des transistors à notre disposition par deux techniques différentes dans le but d’identifier les effets parasites qui peuvent pénaliser leurs bons fonctionnements. Cette étude comporte deux parties principales. Dans la première partie, l’étude des caractéristiques des sorties statiques de nos échantillons nous a permis d’expliquer l’origine des non idéalités de ces caractéristiques d’une part et de voir l’évolution de la conduction en fonction de la tension de polarisation et de la température d’autre part. Dans une seconde partie, par des mesures de caractérisation effectuées par la technique de bruit basse fréquence et la technique de bruit télégraphique (Random Telegraph Signal) nous avons pu analyser les défauts électriquement actifs localisés à l’interface oxyde de grille/canal de conduction, et remonter aux différentes signatures des pièges (temps d’émission, temps de capture, énergie d’activation, amplitude de bruit, localisation spatiale) ainsi que leurs évolutions en fonction de la tension de polarisation et de la température. Ces études nous ont permis de mettre en évidence l’effet des centres pièges les caractéristiques de sortie, elles constituent une piste pour choisir ou corriger les méthodes d’élaboration de ces composants.


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Informations

  • Détails : 1 vol. (143 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 138-143

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(3349)
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