Intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-k) dans les mémoires non-volatiles pour les générations sub-45 nm

par Marc Bocquet

Thèse de doctorat en Micro et nano-électronique

Sous la direction de Georges Pananakakis.

Soutenue en 2009

à Grenoble, INPG .


  • Résumé

    Les mémoires non-volatiles Flash sont aujourd'hui un élément clé du développement de l'électronique portable demandant de plus en plus de capacité de stockage à bas coût (netbook, clé USB. . . ). Afin d'assurer son maintien pour les années à venir, il est nécessaire de poursuivre l'amélioration de cette technologie. Ainsi, l'intégration de matériaux à forte permittivité électrique (High-K) et l'utilisation de mémoires à couche de piégeage discret sont de plus en plus envisagées. Le travail de cette thèse s'inscrit dans ce contexte. Il comprend tout d'abord une étude électrique de matériaux High-K. Les empilements les plus prometteurs ont été intégrés dans des mémoires à nanocristaux ou à couche de piégeage nitrure. Les performances électriques ont été reliées aux propriétés matériaux. L'analyse des résultats électriques ainsi que la compréhension physique des mécanismes mis en jeux a été permise par le développement d'un modèle complet de mémoire à couche de piégeage discret.


  • Résumé

    Flash memory is today a major element for the development of the portable electronics which require more and more memory capability at low cost (netbook, cell phones, PDA, USB sticks. . . ). Ln order to maintain it for the years to come, it is necessary to continue improving this technology. Also, the integration of High-K materials and the use of trap charge memories are strongly envisaged. This PhD focuses on the integration and the electrical study of the most promising High-K materials (Hf02, HfAIO, Ah03, HfSiON) for non-volatile memory applications. These materials are then integrated in nanocristal memories and nitride charge trap memories. The analysis of the memory performances was made through a modelling study of the involved physical mechanisms. Ln particular, a complete SONOS-like model is proposed to explain the experimental results.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (222 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 203 réf.

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS09/INPG/0156/D
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  • Cote : TS09/INPG/0156
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