Fiabilité et bruit basse fréquence de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe :C 250 GHz dédiés aux applications ondes millimétriques

par Malick Diop

Thèse de doctorat en Micro et nano-électronique

Sous la direction de Gérard Ghibaudo.

Soutenue en 2009

à Grenoble, INPG .


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  • Titre traduit

    Reliability and low frequency noise of SiGe :C heterojunction bipolar transistor dedicated to millimeter wave applications


  • Résumé

    Ce travail de thèse portait sur l’étude de la fiabilité et du bruit basse fréquence de TBHs SiGe :C de la filière BiCMOS9MW dédiés aux applications ondes millimétriques. Ainsi, les 3 modes de polarisation en inverse, en direct et en « mixed-mode » ont été bien caractérisés et la dégradation associée, investiguée en détails en utilisant une approche originale couplant bruit et fiabilité et des outils puissants tels que la simulation TCAD et la modélisation HICUM. Ensuite, l’extraction de facteurs d’accélération de la dégradation du courant de base en fonction des paramètres de la contrainte nous a permis de proposer des modèles empiriques de durées de vies, pour tous les modes de défaillance. Enfin, l’introduction de la fiabilité au niveau « design » a permis de simuler pour la première fois la dégradation du TBH de l’amplificateur en puissance à 77GHz.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (192 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 62 réf.

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS09/INPG/0126/D
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible sous forme de reproduction pour le PEB
  • Cote : TS09/INPG/0126
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