Modélisation à l'échelle atomique des premiers stades de l'oxydation du silicium : théorie de la fonctionnelle de la densité et Monte Carlo cinétique

par Anne Hemeryck

Thèse de doctorat en Sciences de la matière

Soutenue en 2008

à Toulouse 3 .


  • Résumé

    La tendance permanente à la réduction des dimensions des composants de la microélectronique mène à la fabrication de couches d'oxydes de plus en plus fines. Afin de poursuivre cette miniaturisation, le recours à la caractérisation de ces couches, impliquant la connaissance parfaite de l'interface Si/SiO2, devient incontournable. Des simulations précises et prédictives des procédés aux échelles atomiques et microscopiques peuvent aider à cette caractérisation. Notre étude consiste en la détermination des premiers stades de l'oxydation thermique d'un substrat de silicium grâce à la mise en œuvre d'une approche multi échelles. L'utilisation des calculs ab initio permet l'identification des propriétés locales des mécanismes élémentaires de l'oxydation à l'échelle atomique en termes de structures atomiques et électroniques, d'énergies d'activation de diffusions. . . La croissance d'oxyde selon les procédés de fabrication peut être reproduite par le développement d'un simulateur Monte Carlo cinétique à partir des mécanismes réactionnels identifiés. Le recours au Monte Carlo cinétique est nécessaire pour atteindre des échelles de temps et d'espace suffisantes pour simuler les procédés de fabrication. Nous avons réalisé des calculs ab initio à l'échelle atomique et développé un code Monte Carlo cinétique nommé Oxcad afin d'appréhender, de caractériser et de simuler les premières étapes de l'oxydation thermique d'une surface de silicium.

  • Titre traduit

    Atomic scale modelling of the first steps of the silicon oxidation : density functional theory and kinetic Monte Carlo


  • Résumé

    The current trend towards the silicon-based devices downscaling leads to the fabrication of thinner oxide layers. In order to carry on this miniaturization, the microscopic characterization of these layers at atomic scale, particularly the understanding of the Si/SiO2 interface, are now required. Accurate and predictive simulations at both atomic and microscopic scales can contribute to this characterization. This study attempts to determine the first steps of the thermal silicon oxidation using a multiscale approach. The use of ab initio calculations enables the identification of the elementary mechanisms local properties involving atomic and electronic structures, activation energies of the diffusion reactions. . . Then, the oxide growth process is reproduced by mixing up the basic elementary mechanisms with the development of a kinetic Monte Carlo simulator. Indeed, using a Monte Carlo method, we are able to reach large scales of time and size, sufficiently to compare the simulated oxide layer to the manufacturing process. We have performed ab initio calculations at atomic scale and developed a kinetic Monte Carlo software called Oxcad, in order to grasp, characterize and simulate the initial stages of the thermal silicon oxidation.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (189 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 175-187

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  • Bibliothèque : Université Paul Sabatier. Bibliothèque universitaire de sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2008TOU30309
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