Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur substrats SOI minces

par Julien Duvernay

Thèse de doctorat en Matériaux, technologie et composants de l'électronique

Sous la direction de Jean-Claude Portal et de Alain Chantre.

Soutenue en 2008

à Toulouse, INSA .


  • Résumé

    Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium ont connu un regain d’intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. De plus, en utilisant un substrat SOI mince au lieu d’un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s’en trouvent améliorées. Le travail effectué durant cette thèse a pour objet la mise au point et l’étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince

  • Titre traduit

    Development and study of thin-SOI pnp Si/SiGeC heterojunction bipolar transistors


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Recently, Si pnp bipolar transistors have known an increasingly interest with the development of complementary BiCMOS technologies. Furthermore, by using a thin-SOI substrate instead of a bulk substrate, MOS transistor and passive devices performances are improved. The work performed during this thesis aims at developing and studying pnp Si/SiGeC heterojunction bipolar transistors on thin-SOI to integrate them into a thin-SOI complementary SiGe BiCMOS technology

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Informations

  • Détails : 1 vol. (232 p.)
  • Annexes : Bibliogr. 4 p. Glossaire

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées. Bibliothèque centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 2008/928/DUV
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