Couches organiques ultra minces greffées sur SI (111) pour la microélectronique

par Dorin Dusciac

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Jean-Noël Chazalviel.

Soutenue en 2008

à Palaiseau, Ecole polytechnique .


  • Résumé

    L’usage des oxydes high-K comme diélectriques de grille dans les transistors MOSFET s’impose comme une étape obligatoire pour maintenir la croissance continue des performances électriques de ces composants électroniques. Malheureusement, le dépôt de ces oxydes sur silicium pose des problèmes sérieux (formation d’une couche intermédiaire de silice ou d’un siliciure métallique, mauvaise maîtrise de la qualité électronique de l’interface, mobilité des porteurs réduite, etc. ). Une voie envisageable pour réaliser des interfaces Si/high-K de bonne qualité est l’utilisation d’une couche mince de « primaire » organique. Le greffage de chaînes organiques saturées par pontage Si-O-C (silicium-alcoxyle) a été exploré. La stabilité thermique des couches greffées a été étudiée par spectroscopie infrarouge. Il apparaît que la décomposition ne s'effectue pas par rupture de l’ancrage Si-O-C, mais par fragmentation de la chaîne. Ce processus a été modélisé qualitativement par une simulation numérique. Pour optimiser les couches organiques greffées, les efforts se sont orientés vers le greffage de chaînes fonctionnelles ultra-courtes et à terminaison hydrophile. Cependant, la terminaison fonctionnelle de ces chaînes peut interférer avec la réaction de greffage, soit en inhibant la réactivité de la terminaison à greffer, soit en induisant des réactions parasites. L'hydrolyse d'esters courts greffés, nécessaire pour obtenir des terminaisons hydrophiles, n'a pu être réalisée sans éviter l'hydrolyse de l'ancrage Si-O-C. Le dépôt de couches de HfO2 a été réalisé sur des couches organiques dont le greffage est bien maîtrisé. Les couches s'avèrent continues, bien qu'un peu plus rugueuses que sur substrat de silicium non greffé. L'infrarouge indique une décomposition partielle de la couche organique mais la surface du silicium apparaît largement préservée de l'oxydation. Ces résultats préliminaires semblent indiquer que la stabilité thermique de la couche organique ne constitue pas une barrière infranchissable et que l'approche considérée peut être viable.

  • Titre traduit

    Ultra thin organic layers grafted on SI (111) for microelectronics applications


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  • Détails : 1 vol. ( 147 p.)
  • Annexes : Bibliographie 95 réf.

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  • Bibliothèque : École polytechnique. Bibliothèque Centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Bibliothèque : École polytechnique. Bibliothèque Centrale.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : G2A 279/2008/DUS
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