Plate-forme de caractérisation fonctionnelle de transistors de puissance micro-ondes incluant la prédistorsion numérique en bande de base

par Ghalid Idir Abib

Thèse de doctorat en Informatique, télécommunications et électronique

Sous la direction de Eric Bergeault.

Soutenue en 2007

à Paris 6 .


  • Résumé

    L’objectif de cette thèse consiste, d’une part, à tester une technique de linéarisation par prédistorsion numérique des signaux en bande de base sans effets mémoire afin de réduire les distorsions générées par un transistor de puissance et d’autre part, à étudier les performances des transistors en fonction de l’impédance de source et des impédances de charge basse fréquence. Les paramètres de la fonction de prédistorsion sont déterminés après inversion des conversions AM/AM et AM/PM du transistor. Le transistor utilisé est un MESFET polarisé en classe AB à 1,575 GHz. Dans la première partie de ce travail, le transistor est adapté en entrée, la mesure de la conversion AM/AM instantanée a permis d’améliorer le C/I3 de 15 dB pour un signal 2-tons (largeur de bande de 1 MHz), sans dégrader le C/I5. En présence de signaux QPSK ou 16-QAM (1 Msps), l’ACPR est amélioré de 5 dB. Dans la deuxième partie de ce travail, les contours source-pull d’ACPR et d’EVM en présence d’un signal QPSK ont mis en évidence une variation de 3 dB pour l’ACPR et 0,8 point pour l’EVM. Par la suite, l’impédance de source a été fixée sur une impédance de compromis, sans trop dégrader les pertes par désadaptation en entrée ni la linéarité. Des variations de 1 dB et de 7 points ont été observées respectivement pour la puissance de sortie et le rendement dans la zone de compression du transistor en étudiant l’influence des impédances de charge basse fréquence. La variation maximale de l’ACPR est de 15 dB et est de 6 points pour l’EVM. L’impédance de charge basse fréquence optimale est très proche d’un court-circuit. Enfin, la prédistorsion numérique a permis de réduire l’ACPR de 5 dB et l’EVM de 1 point.

  • Titre traduit

    Microwave power transistors characterisation system including instantaneous base-band predistortion


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Informations

  • Détails : 1 vol. (159 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p.145-159. 103 réf. bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
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  • Cote : T Paris 6 2007 390
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