Magnétorésistances et transfert de spin dans des hétérostructures tunnel à base de (GA,Mn)As

par Marc Elsen

Thèse de doctorat en Sciences des matériaux

Sous la direction de Albert Fert.

Soutenue en 2007

à Paris 6 .

  • Titre traduit

    Magnetoresistances and spin transfer in (GA,Mn)As based tunnel heterostructures


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  • Résumé

    L’introduction du semiconducteur ferromagnétique (Ga,Mn)As dans des hétérostructures semiconductrices ouvre la possibilité d’exploiter de nouveaux phénomènes de transport dépendant du spin. Dans des jonctions tunnel composées d’électrodes de (Ga,Mn)As, nous avons étudié l’influence de la hauteur et de l’épaisseur d’une barrière d’(In,Ga)As, ainsi que l’influence du recuit sur la magnétorésistance tunnel (TMR). Nous nous sommes également intéressés à de nouveaux effets d’anisotropie de résistance tunnel liés au fort couplage spin orbite des trous dans (Ga,Mn)As (TAMR). Une interprétation générale de ces 2 phénomènes a été donnée dans le cadre de l’approche du transfert de matrices adaptée à la théorie k. P. L’utilisation d’un puits quantique de GaAs pour sonder la TAMR a permis de mettre en évidence l’influence des différentes sous-bandes de (Ga,Mn)As sur le transport polarisé en spin. Enfin, nous avons démontré la possibilité de manipuler l’aimantation d’une fine couche de (Ga,Mn)As par injection d’un courant polarisé en spin.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (IX-160 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 145-160. 183 réf. bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
  • Consultable sur place dans l'établissement demandeur
  • Cote : T Paris 6 2007 25
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