Croissance par EJM à boîtes quantiques sur des couches localement dopées par FIB

par Mirja Richter

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean-Yves Duboz et de Andreas D. Wieck.

  • Titre traduit

    MBE-overgrowth of quantum dots and FIB-written doping patterns


  • Résumé

    The aim of this work was to study and alter the energetic level structure of self-assembled InAs quantum dots by overgrowth with different cap layers. The influence of (In,Ga)As cap layers on the level structure of self-assembled InAs quantum dots was studied by capacitance-voltage spectroscopy. The red shift of the ground state emission as compared to GaAs capping was found to originate mainly from the conduction band states. With (In,Ga)(As,N) capping, emission up to 1,52 μm was demonstrated. After rapid thermal annealing, highest quality emission was found up to 1. 45 μm. Additionally, InAs quantum dots were integrated into a newly developed light emitting diode whose active region was reduced by insulation writing with focused ion beams to achieve electroluminescence from few quantum dots only. Altogether, first steps were taken towards single photon emission at the most efficient telecommunication wavelengths.


  • Résumé

    L’objet de ce travail fut d’étudier et de modifier la structure des niveaux énergétiques de boîtes quantiques InAs par croissance de différentes couches de confinement supérieures. L’effet de telles couches faites de (In,Ga)As, sur la structure de niveaux de boîtes quantiques InAs auto-assemblées, a été étudié par spectroscopie de capacité vs tension. Par rapport à l’emploi du GaAs, un décalage vers le rouge de l’émission du niveau fondamental a été observé. Il est montré que ce décalage provient en grande partie des états de la bande de conduction ? Avec un confinement fait de (InGa)(As,N), la longueur d’onde d’émission a pu être étendue jusqu’à1,52 μm. Une émission de haute qualité est obtenue après recuit thermique rapide, et ce jusqu’à une longueur d’onde de 1,45 μm. Par ailleurs, ces boîtes quantiques ont été intégrées au sein d’une diode electro-luminescente tout nouvellement développée. Les dimensions de la région active y ont été réduites par écriture isolante à l’aide de faisceaux d’ions focalisés, afin d’obtenir l’électroluminescence provenant de quelques boîtes quantiques seulement. Ce travail constitue une vers l’obtention de l’émission de photons uniques aux longueurs utilisées en télécommunications par fibres optiques.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (vii-139 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. [109]-121. Résumés en allemand, en français et en anglais

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  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 07NICE4086
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