Etude de l’appariement des transistors bipolaires à hétérojonction Si/SiGe issus de technologies bicmos

par Stéphane Danaie

Thèse de doctorat en Micro et nano-électronique

Sous la direction de Gérard Ghibaudo.

Soutenue en 2007

à Grenoble, INPG .

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  • Résumé

    The present work deals with matching of Si/Si Ge heterojunction bipolar transistors (HBT) in BiCMOS technologies. This study should lead to the identification of electrical parameter random fluctuations. First, thanks to the comparison of experimental matching results, obtained on several HBTs architectures, we have highlighted typical base and collector CUITent matching properties. Then, in the ideal CUITent region, physical models based on dopant fluctuations have been established. Ln the low CUITent region, base CUITent matching degradation has been full y interpreted and a new physical model has been proposed. This analysis has also been confirmed by a matching characterization after hot carrier injection stress. Finally, at high cUITents, base and collector CUITent mismatch degradation origins have been clearly demonstrated experimentally.


  • Résumé

    Ce travail de thèse porte sur l'appariement des transistors bipolaires à hétérojonction (TBH) Si/SiGe issus de technologies BiCMOS. L'objectif de cette étude est d'identifier les mécanismes physiques qui sont à l'origine des fluctuations aléatoires des paramètres électriques. La comparaison des résultats expérimentaux obtenus sur différentes familles de TBH a permis, dans un premier temps, de dégager les propriétés typiques des fluctuations aléatoires des courants base et collecteur. Dans le régime idéal de fonctionnement, des modèles physiques basés sur les fluctuations du nombre de dopants ont été établis. Dans le régime des faibles courants, la dégradation de l'appariement du courant base a été interprétée grâce à un modèle physique, basé sur les fluctuations du nombre de défauts à la jonction émetteur/base, et consolidée par une caractérisation de l'appariement après un stress de type porteurs chauds. Enfin, à forts courants, les origines de la dégradation de l'appariement des courants base et collecteur due aux résistances d'accès ont été validées expérimentalement.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (169 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. 79 réf.

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS07/INPG/0160/D
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
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  • Cote : TS07/INPG/0160
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