Mise au point d'une nouvelle méthode de croissance du matériau semiconducteur CdTe, en vue de l'obtention d'imageurs de rayonnements X et gamma

par Fabrice Dierre

Thèse de doctorat en Science et génie des matériaux

Sous la direction de Daniel Lincot.

Soutenue en 2007

à Grenoble, INPG .


  • Résumé

    Cette thèse a pour objectif l'obtention de cristaux de CdTe de grande dimension, aptes à la détection X et γ, par une nouvelle méthode de croissance utilisant l'évaporation du solvant tellure comme force motrice de cristallisation, à partir d'une solution de cadmium et de tellure riche en tellure. Cette méthode est appelée méthode par évaporation de solvant ou, en anglais, Process By Solvent Evaporation (PBSE). Deux points essentiels la caractérisent: elle se réalise en tube ouvert, ce qui permet son extension à de grands diamètres, et la croissance se déroule à température constante, ce qui doit assurer une meilleure uniformité des propriétés du matériau élaboré. Les résultats obtenus par cette méthode PBSE montrent que les galettes peuvent être classées en trois catégories (sous-évaporée, idéale, surévaporée) dépendant du couple température/durée de croissance imposé. Il apparaît que seules les galettes élaborées dans les conditions idéales ont des propriétés requises par la détection X et γ.


  • Résumé

    This thesis aims at obtaining large dimension CdTe crystals, suited to X and γ-ray detection, by a new method of growth using the evaporation of the solvent tellurium as the driving force for crystallization, from a tellurium-rich solution of cadmium and tellurium. This method is called Process By Solvent Evaporation (PBSE) or in French, Méthode par Evaporation de Solvant. Two essential points characterize it : it is carried out in an open tube, which allows its extension to large diameters, and the growth proceeds at constant temperature, which must ensure a better uniformity of the properties of the elaborated material. The results obtained by this PBSE method show that the wafers can be classified in three categories (under-evaporated, ideal, over-evaporated) depending on the imposed "temperature/time of growth" couple. It appears that only the wafers elaborated under the ideal conditions have properties required by the X and gamma-ray detection.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (212 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Notes bibliogr. en fin de chapitres

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS07/INPG/0015/D
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