Nouvelle méthode pour les évaluations de qualité et de fiabilité des composants pour la microélectronique

par Wahiba Tazibt

Thèse de doctorat en Sciences physiques

Sous la direction de Pierre Mialhe.

Soutenue en 2006

à Perpignan , dans le cadre de École doctorale Énergie environnement (Perpignan) .


  • Résumé

    L’augmentation des performances des composants nécessite la diminution de leurs dimensions, les effets de vieillissement deviennent alors importants sous des conditions de fonctionnements normales, ces effets ont un impact important sur la fiabilité des composants microélectroniques. La baisse de la consommation d’énergie entraîne la modification des conditions de fonctionnement. Ce travail considère les dégradations expérimentales des caractéristiques électriques de la jonction émetteur-base du transistor. Les phénomènes de transport de charge sont reliés aux propriétés structurales et l’évolution des conditions normales de fonctionnement introduisent le potentiel de transition qui est lié aux effets de haute injection. Le facteur d’idéalité ainsi que le potentiel de transition apparaissent comme des paramètres signifiants et sensibles à la qualité et à la caractérisation de la fiabilité ou à l’évaluation de la dureté. Un nouveau paramètre RF est introduit, il est lié au vieillissement des composants et aux processus de dégradation.

  • Titre traduit

    New method for quality and reliability evaluation devices for microelectronic


  • Résumé

    With scaling down of devices for higher performance, aging effects are becoming more important under standard working conditions. They have an important impact on the reliability of microelectronics devices since changes in the devices operating conditions dues to lower power consumption are made. This work considers experimental degradations of the emitter-base electrical characteristics in a transistor; the charge transport phenomena are related to structural proprieties and the evolutions of normal operations introduce threshold voltage changes related to high injection effects. Both the junction ideality factor and the transition voltage appear as significant and sensitive parameters for quality and reliability characterization or hardness evaluation. A new reliability parameters RF in introduced and related to aging of devices and to degradation processes.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (113 f.)
  • Annexes : Bibliographie f. 130

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  • Bibliothèque : Université Perpignan Via Domitia. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TH 2006 TAZ
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