Ingénierie des défauts dans les matériaux semi-conducteurs II-VI : application aux semi-conducteurs photoréfractifs ZnCdTe:V et aux semi-conducteurs magnétiques ZnMnO et ZnCoO

par Aroussi Ben Mahmoud

Thèse de doctorat en Physique des matériaux

Sous la direction de Hans Jurgen von Bardeleben.

Soutenue en 2006

à Paris 6 .

  • Titre traduit

    Defect engineering in II-VI semiconductors : application to photorefractive ZnCdTe:V bulk crystals and magnetic ZnMnO, ZnCoO thin films


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  • Résumé

    ZnCdTe et le ZnTMO (TM = métaux de transition 3d) sont des matériaux photoréfractifs et ferromagnétiques dont les propriétés sont liées à la présence de défauts. Nous avons étudié le rôle du dopant Vanadium dans ZnCdTe pour les propriétés photoréfractives. Nous avons également montré le rôle important d’un défauts intrinsèque, natif que nous attribuons à l’antisite de Te. Les propriétés magnétiques des couches minces de ZnMnO ont été étudiées pour des concentrations Mn (0. 01 < x < 0. 34). Nos résultats montrent clairement le caractère antiferromagnétique des interactions Mn-Mn. Ils contredisent les publications récentes d’un état ferromagnétique intrinsèque. Par contre, nous avons observé des faibles interactions ferromagnétiques dans des couches dopées à x = 0. 03, résultats interprétés dans un modèle de polaron magnétique. L’étude par spectroscopie RPE des couches ferromagnétiques de ZnCoO avec [Co] = 0. 25 nous a permis d’associer l’état FM à la présence des nanoclusters métalliques.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (156 f.)
  • Annexes : Bibliogr. f. 145-156. 205 réf. bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université Pierre et Marie Curie. Bibliothèque Universitaire Pierre et Marie Curie. Section Biologie-Chimie-Physique Recherche.
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  • Cote : T Paris 6 2006 596
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