Première étape de la croissance de GaN sur Si(111) : la nucléation d'AIN

par Arnaud Le Louarn

Thèse de doctorat en Physique

Sous la direction de Jean Massies.

  • Titre traduit

    First stage of GaN growth on Si(111) : AIN nucleation


  • Pas de résumé disponible.


  • Résumé

    Ce travail concerne l'étude de la nucléation d'AlN sur Si(111), première étape nécessaire à la croissance de GaN sur ce substrat. En effet, les détails de la réalisation de cette étape, en particulier l'ordre de l'exposition de la surface Si(111) à Al et à NH3, jouent un rôle déterminant sur les propriétés finales des couches épitaxiales de GaN. Sur la base d'un dispositif expérimental couplant sous ultra-vide un microscope à effet tunnel (STM) et un réacteur d'épitaxie par jets moléculaires, l'objectif de cette thèse était d'identifier et de comprendre les diffe��rents mécanismes mis en jeu dans la nucléation d'AlN sur Si(111). Dans un premier temps, nous avons mené une étude détaillée des différentes phases pouvant résulter de l'adsorption d'Al sur Si(111) et dressé un diagramme de phases d'Al sur Si(111). Dans un second temps, nous avons identifié les différents types de surfaces pouvant résulter de la nitruration de Si(111) par NH3. Nous avons finalement montré que l'exposition d'une surface de type Al sur Si(111) à NH3 conduit à la formation d'AlN amorphe alors que le dépôt d'Al sur une surface Si(111) nitrurée conduit à la formation d'une couche épitaxiale d'AlN par un mécanisme de réduction de la surface nitrurée par Al.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (174-XXXVIII p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 06NICE4016
  • Bibliothèque : Université Nice Sophia Antipolis. Service commun de la documentation. Section Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : 06NICE4016bis
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