Thèse de doctorat en Électronique. Traitement du signal
Sous la direction de Martine Villegas.
Soutenue en 2006
à Marne-la-Vallée .
Cette thèse concerne la modélisation comportementale des amplificateurs de puissance, dernier élément d’une chaîne de radiocommunication numérique. Le travail comprend, dans une première partie, une analyse comparative des modèles existants et propose un modèle basé sur les séries de Volterra classique. Ce modèle prend en compte les effets de mémoire BF et HF du composant actif. La comparaison des modèles existants et la validation est effectuée sur un signal de type OFDM présentant une grande largeur de bande et une forte dynamique d’enveloppe. Une seconde partie est consacrée aux architectures de type EER utilisant des amplificateurs de puissance fonctionnant en classe E. Ces architectures permettent d’obtenir des fonctionnements de type multistandards et haut rendement. Nous avons mené une étude sur les conséquences de la non idéalité des paramètres du composant actif utilisé en commutation et des conséquences sur les performances en rendement
Contribution to the modelling of the nonlinear effects in amplifiers RF and microwaves of the digital radio-communications transmitters
This thesis concerns the behavioral modeling of high power amplifiers, last element of digital radio-communications chain. This work includes, in a first part, comparative analysis of the existing models and proposes a model based on the Volterra series. This model takes into account the short-term memory and long-term memory into the active component. The comparison of the existing models and the validation are carried out on a signal OFDM type presenting a great bandwidth and a high amplitude variation. A second part is devoted to architectures of EER type, this architectures employs a class E high power amplifier. These architectures make it possible to obtain an operation of the multistandards type and high efficiency. We have made a study on the consequences in term of performances and efficiency of the active device parameters non-ideality in commutation mode