Contributions à la conception et à la réalisation de transistors MOS à grille multiple

par Julien Penaud

Thèse de doctorat en Électronique

Sous la direction de Emmanuel Dubois.

Soutenue en 2006

à Lille 1 .


  • Résumé

    L'évolution des transistors MOSFET a permis la réduction des dimensions jusqu'à des dispositifs de longueur de grille de 65 nm. Néanmoins, pour les générations suivantes (sub-32nm), les transistors classiques ne permettent plus d'atteindre les niveaux de courants escomptés. La solution consiste à réaliser des transistors multi-grille (FinFET) qui conservent l'aspect complètement déplété du FDSOI MOSFET, tout en multipliant les canaux de conduction. L'objectif de ces travaux a donc consisté à lever un certain nombre de verrous technologiques liés à la fabrication de tels transistors. Un procédé innovant et relativement simple a ainsi été proposé. Le premier volet de l'étude a été consacré à la définition de réseaux denses d'ailettes de silicium par lithographie électronique et gravure RIE. La deuxième étude a investigué le choix du matériau de planarisation afin de noyer les ailettes dans une matrice isolante tout en préservant un topologie de surface plane. Divers traitements de densification ont été étudiés afin de densifier la matrice, pour obtenir une meilleure résistance aux attaques chimiques. Le troisième axe de recherche s'est orienté sur l'architecture de grille Damascène qui permet d'éviter la formation de résidus de gravure. Le procédé est basé sur le dépôt d'un masque dur combiné à une photo-grille et à une gravure du diélectrique. Puis, une pulvérisation cathodique du matériau de grille rnidgap a parfaitement recouvert les ailettes. La structure a ensuite été planarisée par CMP. Enfin, des caractérisations électriques réalisées sur des siliciures de platine 3D, ont permis d'extraire une valeur de la résistivité du siliciure de platine

  • Titre traduit

    Contributions for the conception and the fabrication of MOS multi-gated transistors


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Cette thèse a donné lieu à une publication en 2007 par Université des sciences et technologies de Lille à Villeneuve d'Ascq

Contributions à la conception et à la réalisation de transistors MOS à grille multiple


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La version de soutenance existe sous forme papier

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  • Détails : 1 vol. (215 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre. Liste des publications et communications

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2006-114
  • Bibliothèque : Université des sciences et technologies de Lille (Villeneuve d'Ascq, Nord). Service commun de la documentation.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 50376-2006-115
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.
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  • Sous le titre : Contributions à la conception et à la réalisation de transistors MOS à grille multiple
  • Annexes : Bibliogr. à la suite de chaque chapitre. Liste des publications et communications
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