Etude en radiofréquences de transistors à effet de champ MOS partiellement désertés en technologie avancée Silicium-Sur-Isolant sub 0,13 µm

par Renaud Daviot

Thèse de doctorat en Dispositifs de l'électronique intégrée

Sous la direction de Nacer Abouchi.

Soutenue en 2006

à Villeurbanne, INSA .


  • Résumé

    Le premier objectif de cette thèse était d'étudier les performances en micro-ondes de MOSFET intégrés en technologie Silicium-Sur-Isolant (SOI) dont les dimensions minimales sont inférieures à 0,13 µm. Le second objectif était de montrer leurs potentialités au sein de circuits intégrés à faible consommation, fonctionnant dans les micro-ondes, c'est-à-dire de quelques GHz à quelques dizaines de GHz, et même au-delà. Ainsi, ce mémoire montre les possibilités ainsi que les limites de cette technologie de part une analyse du fonctionnement des MOSFET SOI partiellement désertés dans les micro-ondes, accompagnée, en parallèle, d'une étude du bruit micro-ondes intrinsèque. Ce manuscrit indique également les impacts des différents effets parasites sur le fonctionnement dans les micro-ondes des MOSFET SOI en fonction de las tructure des composants utilisés. L'étude s'achève sur une analyse des potentialités ainsi que du comportement des futures structures en technologie Silicium-Sur-Isolant

  • Titre traduit

    Microwave analysis of 0. 13 micrometer advanced technology partially depleted Silicon on insulator metal oxide semiconductor field effect transistors


  • Résumé

    First goal of this thesis was to study the microwaves performances of integrated MOSFET made by Silicon-On-Insulator technology (SOI) whose low size limits are lower than 0,13 µm. Second goal was to show their potentialities within low power microwaves integrated circuits from some GHz to a few tens of GHz, and much more. Thus, this report shows the possibilities as well as the limits of this technology with an analysis of microwaves behavioural of partially deserted SOI MOSFET, and, in parallel, a study of microwaves intrinsic noise. This manuscript also indicates impacts of various parasitic effects on SOI MOSFET microwaves behavioural, according to the components structure. The study finished with an analysis of potentialities as well as behaviour of new Silicon-On-Insulator devices.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (203-XIX p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. à la fin de chaque chapitre

Où se trouve cette thèse ?

  • Bibliothèque : Institut national des sciences appliquées (Villeurbanne, Rhône). Service Commun de la Documentation Doc'INSA.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : C.83(3101)
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