Limitations des résines à amplification chimique destinées à la réalisation du noeud technologique 32 nm

par Amandine Jouve

Thèse de doctorat en Génie des procédés

Sous la direction de Laurent Gonon et de Julia Simon.

Soutenue en 2006

à Grenoble, INPG .


  • Résumé

    Les performances d'une technique lithographique sont étroitement liées aux performances du procédé lithographique, et notamment aux performances des résines à amplification chimique. L'objet de ce travail est donc d'étudier certaines limitations de ces matériaux à adresser les critères requis par l'ITRS pour le nœud technologique 32 nm. Dans un premier temps nous avons montré que si les dernières formulations des résines photosensibles permettent effectivement d'imprimer des motifs de dimension proche de 32 nm, d'autres paramètres (sensibilité, rugosité, facteur de forme) ne sont toujours pas en adéquation avec les spécifications de l'ITRS. Nous avons particulièrement étudié l'effondrement des motifs de faible dimension, ainsi que l'évolution des performances du procédé lithographique des résines à amplification chimique en couche mince. L'ensemble de ces travaux a donc mis en évidence l'écart technologique croissant entre les spécifications de l'ITRS et les résultats expérimentaux, lorsque la dimension des motifs denses diminue, même après optimisation.


  • Pas de résumé disponible.

  • Titre traduit

    Chemically amplified resist limitations toward the 32 nm node


  • Résumé

    Uthography techniques performances are closely related to lithographie process, thus to chemically amplified resists performances. The aim of this PhD work is to study sorne limitations of these materials toward the 32 nm node realization. Firstly we prove that last formulations of photosensitive resists are effectively able to print patterns with dimension dose to 32 nm, other parameters (sensitivity, roughness, aspect ratio) are far from ITRS specifications. We have particularly study the collapse of small sized patterns, so that the evolution of lithographie process performances of thin chemically amplified resist films. AIl these works show the increasing technological gap between ITRS specifications and experimental results, when pattern's dimension decrease, even after optimisation.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (239 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

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  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Non disponible pour le PEB
  • Cote : TS06/INPG/0147
  • Bibliothèque : Service interétablissements de Documentation (Saint-Martin d'Hères, Isère). Bibliothèque universitaire de Sciences.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : TS06/INPG/0147/D
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