Propriétés optiques de puits quantiques GaInAsN/GaAs

par Tarik Bouragba

Thèse de doctorat en Matériaux et composants pour l'électronique

Sous la direction de Joël Leymarie.

Soutenue en 2006

à Clermont-Ferrand 2 .


  • Résumé

    Ce travail porte sur une étude expérimentale et théorique des propriétés optiques de puits quantiques contraints GaInAsN/GaAs élaborés par épitaxie sous jets moléculaires. Les transitions interbandes du puit GaInAsN sont étudiés par photoluminescence et absorption optique traitée thermiquement. Les énergies correspodantes sont calculées grâce à un modèle k. P. à 10 bandes traitant simultanément la contrainte et le couplage entre états électroniques de l'azote et de la bande de conduction de GaInAs. Le décalage des bandes de conduction contraint GaInAsN/GaAs et de la masse effective des porteurs sont déterminés. La force d'oscillateur et l'élargissement inhomogène des excitons ainsi que le coefficient d'absorption des puits sont extraits des spectres. Un recuit provoque un décalage vers le bleu des énergies de transition, qui résulte de l'interdiffusion In/Ga et du réarrangement local autour de l'azote. Cette réorganisation atomique conduit à une diminution du couplage de l'azote avec la bande de conduction

  • Titre traduit

    Optical properties of GaInAsN/GaAs quantum wells


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Informations

  • Détails : 1 vol. (232 p.)
  • Notes : Publication autorisée par le jury
  • Annexes : Bibliogr. en fin de chapitres

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  • Cote : 2006CLF21648
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  • PEB soumis à condition
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