Optimisation des étapes de croissance épitaxiale pour la réalisation de systèmes intégrés sur silicium
Auteur / Autrice : | Angélique Renard |
Direction : | Hugues Murray, Bernadette Domengès |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Milieux denses et matériaux |
Date : | Soutenance en 2006 |
Etablissement(s) : | Caen |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
La production de système en boîtier SiP, concept permettant d’intégrer des composants passifs et actifs pour former un système complet, a nécessité une approche de fabrication nouvelle basée sur des technologies traditionnelles destinée à synthétiser des couches épitaxiales de fortes épaisseurs sur substrat silicium fortement dopé. L’ensemble du manuscrit est consacré à l’optimisation des étapes de croissance de ces couches et laisse une large place à l’identification et la maîtrise de défauts générés pendant la croissance. Ainsi, les facteurs prépondérants de la croissance épitaxiale (comportement du flux gazeux, régimes de croissance liés aux paramètres physiques) ont été identifiés et contrôlés. La croissance sur surface dopée, ayant subi une implantation massive, s’accompagne d’une densité élevée de défauts d’empilement, linéaires ou de type pyramide. Les conditions de croissance limitant leur densité ont été établies. Restaient les difficultés liées à l’épitaxie de fortes épaisseurs par les défauts qu’elle engendre sur les motifs d’alignement, éléments essentiels à la bonne suite du procédé. L’étude nanostructurale de ces motifs a montré comment l’apparition de facettes parallèles à des plans cristallographiques remarquables accentuait le caractère anisotrope de la croissance et conduisait à un aplanissement et des déformations amplifiées par les conditions thermiques de croissance. La maîtrise de la croissance de ces couches épitaxiées de fortes épaisseurs s’est concrétisée par la réalisation de diodes PIN avec des caractéristiques comparables aux diodes discrètes, dont nous présentons les caractérisations électriques et les bonnes performances R. F.