Conception, modélisation et caractérisation des transformateurs intégrés sur silicium : application aux amplificateurs faible bruit

par Ouail El Gharniti

Thèse de doctorat en Sciences physiques et de l'ingénieur. Électronique

Sous la direction de Eric Kerhervé et de Joël Bégueret.

Soutenue en 2006

à Bordeaux 1 .


  • Résumé

    Ce mémoire et articulé autour de quatre chapitres. Dans le premier chapitre, nous décrivons les différentes structures de transormateurs planaires et emplilés, ainsi que les mécanismes de pertes d'énergie dans ces derniers. Nous introduisons un plan de masse en dessous de la structure du transformateur pour réduire ses pertes. Dans le deuxième chapitre, nous présentons un modèle électrique large bande pour les transformateurs intégrés avec plan de masse. Les éléments du modèle sont dérivés des paramètres géome��triques du transformateur et des caractéristiques de la technologie silicium utilisée. Dans le troisième chapitre, nous présentons une nouvelle méthodologie de conception des transformateurs intégrés. Enfin, dans le quatrième chapitre, nous présentons une nouvelle technique d'adaptation large bande basé sur des transofrmateurs intégrés. Avec cette technique, nous implémentons deux amplificateurs faible bruit dédiés aux applications WLAN et UWB.

  • Titre traduit

    ˜The œdesign, modeling, and optimization of on-chip transformers and their application in LNAs


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Informations

  • Détails : 1 vol. (130 p.)
  • Annexes : Notes bibliogr.

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  • Bibliothèque : Université de Bordeaux. Direction de la Documentation. Bibliothèque Sciences et Techniques.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : FTA 3309
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